Νέα

Νέα

Είμαστε στην ευχάριστη θέση να μοιραστούμε μαζί σας τα αποτελέσματα της δουλειάς μας, τα νέα της εταιρείας και να σας παρέχουμε έγκαιρες εξελίξεις και τις συνθήκες διορισμού και απομάκρυνσης προσωπικού.
Επίλυση κιτρίνισμα άκρων επίστρωσης SiC για ενίσχυση της απόδοσης CVD από 50% σε 90%05 2026-08

Επίλυση κιτρίνισμα άκρων επίστρωσης SiC για ενίσχυση της απόδοσης CVD από 50% σε 90%

Σε βάθος ανάλυση των αιτιών του κιτρίνισμα των άκρων και του ξεφλούδισμα της επικάλυψης καρβιδίου του πυριτίου σε υποδοχείς επιτάξιου γραφίτη MOCVD. Το VeTek εξάλειψε τη μικρο-στρες ελέγχοντας με ακρίβεια τον αρχικό ρυθμό εναπόθεσης CVD και το πεδίο ροής, αυξάνοντας την απόδοση επίστρωσης από 50% σε 90% και επεκτείνοντας τη διάρκεια ζωής των εξαρτημάτων γραφίτη υψηλής καθαρότητας.
Πώς να λύσετε την υψηλή παραλλαγή από τσέπη σε τσέπη σε επιδεκτικά γραφίτη πυριτίου πολλαπλών τσέπης;03 2026-08

Πώς να λύσετε την υψηλή παραλλαγή από τσέπη σε τσέπη σε επιδεκτικά γραφίτη πυριτίου πολλαπλών τσέπης;

Αντιμετωπίζοντας 1,4% διακύμανση πάχους από τσέπη σε τσέπη σε υποδοχείς γραφίτη επιτάξου πυριτίου πολλαπλών τσέπες, το VeTek Semi βελτίωσε την επιπεδότητα του υποδοχέα σε <0,08 mm και μείωσε τη διακύμανση στο 0,69% μέσω προσομοίωσης πεδίου ροής CVD και επίστρωσης υπερακρίβειας βάφου SiC.
Μελέτη περίπτωσης ανάλυσης ρωγμών και βελτιστοποίησης θερμικής καταπόνησης με επικάλυψη MOCVD SiC30 2026-07

Μελέτη περίπτωσης ανάλυσης ρωγμών και βελτιστοποίησης θερμικής καταπόνησης με επικάλυψη MOCVD SiC

Μάθετε πώς η Vetek εξάλειψε την ακτινική ρωγμή σε υποδοχείς γραφίτη μεγάλου μεγέθους με επικάλυψη MOCVD SiC. Ο επανασχεδιασμός του δομικού προστατευτικού τάσεων και η αντιστοίχιση CTE αύξησαν τη διάρκεια ζωής κατά 300%+.
Από 4 ίντσες έως 8 ίντσες: Μια δεκαετία ανάπτυξης ημιαγωγών SiC25 2026-07

Από 4 ίντσες έως 8 ίντσες: Μια δεκαετία ανάπτυξης ημιαγωγών SiC

Μια δεκαετία εξέλιξης του SiC — από τις πρώιμες προκλήσεις εμπορευματοποίησης 4 ιντσών έως τη σημερινή μετάβαση της γκοφρέτας 8 ιντσών. Ανακαλύψτε πώς οι επιστρώσεις CVD SiC, τα υλικά στερεού SiC και TaC επιτρέπουν την αξιόπιστη κατασκευή ημιαγωγών.
Γιατί η επικάλυψη γραφίτη με επίστρωση SiC είναι απαραίτητη για την επιταξία ημιαγωγών17 2026-07

Γιατί η επικάλυψη γραφίτη με επίστρωση SiC είναι απαραίτητη για την επιταξία ημιαγωγών

Μάθετε πώς οι υποδοχείς γραφίτη με επίστρωση CVD SiC ενισχύουν την επιταξιακή ανάπτυξη βελτιώνοντας τη θερμική ομοιομορφία, μειώνοντας τη μόλυνση και επεκτείνοντας τη διάρκεια ζωής των εξαρτημάτων στην κατασκευή ημιαγωγών SiC, GaN, LED και πυριτίου.
Γιατί οι θερμαντήρες γραφίτη με επίστρωση TaC αναδύονται ως το μέλλον του GaN MOCVD Epitaxy10 2026-07

Γιατί οι θερμαντήρες γραφίτη με επίστρωση TaC αναδύονται ως το μέλλον του GaN MOCVD Epitaxy

Ανακαλύψτε πώς οι θερμαντήρες γραφίτη με επίστρωση TaC ενισχύουν την ομοιομορφία της θερμοκρασίας, μειώνουν την κατανάλωση ενέργειας και παρατείνουν τη διάρκεια ζωής στην επιταξία GaN MOCVD σε σύγκριση με τις συμβατικές θερμάστρες με επίστρωση pBN.
Πώς η επίστρωση TaC ενισχύει την ανάπτυξη κρυστάλλων SiC σε εφαρμογές PVT03 2026-07

Πώς η επίστρωση TaC ενισχύει την ανάπτυξη κρυστάλλων SiC σε εφαρμογές PVT

Ανακαλύψτε πώς η επίστρωση CVD TaC βελτιώνει την ανάπτυξη κρυστάλλων SiC σε κλιβάνους PVT μειώνοντας τη μόλυνση από άνθρακα, προστατεύοντας εξαρτήματα γραφίτη, παρατείνοντας τη διάρκεια ζωής και βελτιώνοντας την ποιότητα των κρυστάλλων για προηγμένη κατασκευή ημιαγωγών.
Γιατί η επίστρωση TaC γίνεται η προτιμώμενη επιλογή για εξαρτήματα γραφίτη ημιαγωγών26 2026-06

Γιατί η επίστρωση TaC γίνεται η προτιμώμενη επιλογή για εξαρτήματα γραφίτη ημιαγωγών

Ανακαλύψτε γιατί η επίστρωση CVD TaC γίνεται η προτιμώμενη προστατευτική λύση για εξαρτήματα γραφίτη ημιαγωγών. Μάθετε τα πλεονεκτήματά του, τις εφαρμογές του στην ανάπτυξη κρυστάλλων SiC, το GaN MOCVD και τους φορείς γκοφρέτας και πώς βελτιώνει την ανθεκτικότητα, την καθαρότητα και τη σταθερότητα της διαδικασίας.
Δακτύλιοι γραφίτη με επικάλυψη πυρολυτικού άνθρακα (PyC): Βελτίωση της αξιοπιστίας στην κατασκευή ημιαγωγών υψηλής θερμοκρασίας17 2026-06

Δακτύλιοι γραφίτη με επικάλυψη πυρολυτικού άνθρακα (PyC): Βελτίωση της αξιοπιστίας στην κατασκευή ημιαγωγών υψηλής θερμοκρασίας

Μάθετε πώς οι δακτύλιοι γραφίτη με επίστρωση VETEK Pyrolytic Carbon (PyC) βελτιώνουν τη θερμική σταθερότητα, μειώνουν τη μόλυνση και παρατείνουν τη διάρκεια ζωής των εξαρτημάτων σε διαδικασίες ανάπτυξης κρυστάλλων SiC, επιταξίας, CVD και ημιαγωγών υψηλής θερμοκρασίας.
Γιατί το CVD TaC επικαλύπτει την «Θωράκιση υψηλής θερμοκρασίας» σε ημιαγωγούς τρίτης γενιάς21 2026-05

Γιατί το CVD TaC επικαλύπτει την «Θωράκιση υψηλής θερμοκρασίας» σε ημιαγωγούς τρίτης γενιάς

Ανακαλύψτε πώς η επίστρωση CVD TaC βελτιώνει την ανάπτυξη κρυστάλλων SiC και την κατασκευή ημιαγωγών με εξαιρετικά υψηλή θερμική σταθερότητα, αντοχή στη διάβρωση, καταστολή ακαθαρσιών και ανώτερη απόδοση σε εφαρμογές MOCVD και επιταξίας.
Εξαρτήματα Aixtron G10: Βασικά εξαρτήματα για SiC Epitaxy υψηλής απόδοσης16 2026-05

Εξαρτήματα Aixtron G10: Βασικά εξαρτήματα για SiC Epitaxy υψηλής απόδοσης

Ρίξτε μια ματιά στα βασικά εξαρτήματα Aixtron G10 για συστήματα επιταξίας SiC υψηλής θερμοκρασίας. Καλύπτουμε εξαρτήματα γραφίτη με επικάλυψη CVD SiC, εξαρτήματα επίστρωσης TaC και δομές θερμικού πεδίου – και πώς βοηθούν στη σταθερότητα της διαδικασίας, τον έλεγχο καθαρότητας και την απόδοση γκοφρέτας στην προηγμένη κατασκευή ημιαγωγών.
Τι είναι το Halfmoon σε έναν θάλαμο αντίδρασης LPE;09 2026-05

Τι είναι το Halfmoon σε έναν θάλαμο αντίδρασης LPE;

Μάθετε τι είναι ένα εξάρτημα Halfmoon σε έναν θάλαμο αντίδρασης LPE και πώς υποστηρίζει τη θερμική σταθερότητα, τη διαχείριση ροής αερίου και τη δομή του αντιδραστήρα σε συστήματα επιταξίας SiC. Εξερευνήστε υλικά γραφίτη, επίστρωση CVD SiC, επίστρωση TaC και σύγχρονες τεχνολογίες αντιδραστήρων ημιαγωγών.
Βελτιστοποίηση της απόδοσης MicroLED με υποστρώματα SiC και προηγμένες επιστρώσεις25 2026-04

Βελτιστοποίηση της απόδοσης MicroLED με υποστρώματα SiC και προηγμένες επιστρώσεις

Παλεύετε με τα ποσοστά απόδοσης MicroLED; Ανακαλύψτε γιατί οι ηγέτες του κλάδου στρέφονται σε υποστρώματα SiC και εξαρτήματα MOCVD με επικάλυψη TaC για να επιλύσουν τη θερμική καταπόνηση και τη μόλυνση από σωματίδια. Μάθετε τα τεχνικά πλεονεκτήματα του CVD SiC για οθόνες GaN επόμενης γενιάς
CVD SiC Coating: Διαδικασία, Οφέλη και Εφαρμογές24 2026-04

CVD SiC Coating: Διαδικασία, Οφέλη και Εφαρμογές

Εξερευνήστε πώς η επίστρωση CVD SiC χρησιμοποιείται σε διεργασίες ημιαγωγών, συμπεριλαμβανομένης της δομής, των χαρακτηριστικών απόδοσης και των τυπικών εφαρμογών, καθώς και της συνάφειάς της σε εφαρμογές σε υψηλές θερμοκρασίες.
Μεγιστοποίηση της απόδοσης Fab: Γιατί το CVD Solid SiC είναι η απόλυτη επιλογή για εξαρτήματα κρίσιμου θαλάμου18 2026-04

Μεγιστοποίηση της απόδοσης Fab: Γιατί το CVD Solid SiC είναι η απόλυτη επιλογή για εξαρτήματα κρίσιμου θαλάμου

Αξίζει την επένδυση το CVD Solid SiC; Συγκρίνετε την απόδοση επένδυσης (ROI) του μονολιθικού SiC με τις παραδοσιακές επιστρώσεις γραφίτη. Μάθετε πώς η ανώτερη αντίσταση πλάσματος και το εκτεταμένο MTBC μεταφράζονται σε χαμηλότερα ποσοστά σκραπ γκοφρέτας και υψηλότερο χρόνο λειτουργίας εξοπλισμού για γραμμές HVM 12 ιντσών.
Η εξέλιξη του CVD-SiC από επιστρώσεις λεπτής μεμβράνης σε χύμα υλικά10 2026-04

Η εξέλιξη του CVD-SiC από επιστρώσεις λεπτής μεμβράνης σε χύμα υλικά

Τα υλικά υψηλής καθαρότητας είναι απαραίτητα για την κατασκευή ημιαγωγών. Αυτές οι διεργασίες περιλαμβάνουν υπερβολική θερμότητα και διαβρωτικές χημικές ουσίες. Το CVD-SiC (Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) παρέχει την απαραίτητη σταθερότητα και αντοχή. Είναι πλέον η κύρια επιλογή για εξαρτήματα προηγμένου εξοπλισμού λόγω της υψηλής καθαρότητας και πυκνότητάς του.
X
Χρησιμοποιούμε cookies για να σας προσφέρουμε καλύτερη εμπειρία περιήγησης, να αναλύσουμε την επισκεψιμότητα του ιστότοπου και να εξατομικεύσουμε το περιεχόμενο. Χρησιμοποιώντας αυτόν τον ιστότοπο, συμφωνείτε με τη χρήση των cookies από εμάς. Πολιτική Απορρήτου
ΑπορρίπτωΑποδέχομαι