Νέα

Στις 5 Σεπτεμβρίου, οι πελάτες της Vetek Semiconductor επισκέπτονταν τα εργοστάσια επίστρωσης SIC και TAC επικάλυψης και κατέληξαν σε περαιτέρω συμφωνίες σχετικά με τις τελευταίες επιταξιακές λύσεις διαδικασίας.

Στις 5 Σεπτεμβρίου 2025, ένας πελάτης από την Πολωνία επισκέφτηκε ένα εργοστάσιο της VETEK για να μάθει για τις προηγμένες τεχνολογίες και τις καινοτόμες διαδικασίες μας στην παραγωγή προϊόντων από ανθρακονήματα.

Τα υλικά υψηλής καθαρότητας είναι απαραίτητα για την κατασκευή ημιαγωγών. Αυτές οι διεργασίες περιλαμβάνουν υπερβολική θερμότητα και διαβρωτικές χημικές ουσίες. Το CVD-SiC (Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) παρέχει την απαραίτητη σταθερότητα και αντοχή. Είναι πλέον η κύρια επιλογή για εξαρτήματα προηγμένου εξοπλισμού λόγω της υψηλής καθαρότητας και πυκνότητάς του.

Στον κόσμο των ημιαγωγών από καρβίδιο του πυριτίου (SiC), το μεγαλύτερο μέρος του προβολέα λάμπει σε επιταξιακούς αντιδραστήρες 8 ιντσών ή στις περιπλοκές του γυαλίσματος γκοφρέτας. Ωστόσο, εάν ανιχνεύσουμε την αλυσίδα εφοδιασμού από την αρχή -μέσα στον κλίβανο μεταφοράς φυσικών ατμών (PVT)- μια θεμελιώδης «επανάσταση υλικού» συντελείται αθόρυβα.

Στην εποχή της ταχείας εξέλιξης του MEMS (Micro-Electromechanical Systems), η επιλογή του σωστού πιεζοηλεκτρικού υλικού είναι μια απόφαση λήψης ή διακοπής για την απόδοση της συσκευής. Οι γκοφρέτες λεπτής μεμβράνης PZT (Lead Zirconate Titanate) έχουν αναδειχθεί ως η κορυφαία επιλογή έναντι εναλλακτικών όπως το AlN (Νιτρίδιο Αλουμινίου), προσφέροντας ανώτερη ηλεκτρομηχανική σύζευξη για αισθητήρες και ενεργοποιητές αιχμής.

Καθώς η κατασκευή ημιαγωγών συνεχίζει να εξελίσσεται προς προηγμένους κόμβους διεργασιών, υψηλότερη ολοκλήρωση και πολύπλοκες αρχιτεκτονικές, οι καθοριστικοί παράγοντες για την απόδοση του πλακιδίου υφίστανται μια ανεπαίσθητη αλλαγή. Για την εξατομικευμένη κατασκευή γκοφρέτας ημιαγωγών, το σημείο πρωτοπορίας για την απόδοση δεν βρίσκεται πλέον αποκλειστικά σε βασικές διεργασίες όπως η λιθογραφία ή η χάραξη. Οι υποδοχείς υψηλής καθαρότητας γίνονται όλο και περισσότερο η υποκείμενη μεταβλητή που επηρεάζει τη σταθερότητα και τη συνέπεια της διαδικασίας.