Υλικά & Σχεδιασμός

Η επιλογή του συνδυασμού υποστρώματος και επικάλυψης είναι το κλειδί για την πρόληψη της πρόωρης αστοχίας εξαρτημάτων, τη μείωση της μόλυνσης από σωματίδια και τη μεγιστοποίηση της απόδοσης του πλακιδίου. Παρέχουμε προσαρμοσμένες λύσεις υλικών και δομικού σχεδιασμού γύρω από το συγκεκριμένο παράθυρο διαδικασίας του πελάτη (θερμοκρασία λειτουργίας, χημεία αντιδραστικών αερίων, ρυθμοί ράμπας).

Οι βασικές μας δυνατότητες σχεδιασμού:

• Αυστηρή αντιστοίχιση στρες CTE:Για γρήγορο θερμικό κύκλο (>100 °C/min), ταιριάζουμε με ακρίβεια τις καμπύλες θερμοκρασίας CTE των υποστρωμάτων γραφίτη υψηλής καθαρότητας και των επικαλύψεων CVD, μειώνοντας ουσιαστικά τον κίνδυνο αποκόλλησης της επίστρωσης και μικρορωγμάτωσης.
• Επιλογή επίστρωσης για συγκεκριμένη διαδικασία-σενάριο:Επίστρωση CVD SiC για επιτάξεις Si/SiC (Epi), MOCVD και περιβάλλοντα χάραξης πλάσματος. Επίστρωση CVD TaC για συνθήκες υψηλότερης θερμοκρασίας και έντονα διαβρωτικές συνθήκες (π.χ. ανάπτυξη μονοκρυστάλλου SiC PVT).
• Ελεγχόμενη αντίσταση και βελτιστοποίηση θερμικής αγωγιμότητας:Ακριβής έλεγχος της χύδην ειδικής αντίστασης και της θερμικής αγωγιμότητας του υποστρώματος και της επίστρωσης για την κάλυψη ειδικών απαιτήσεων ηλεκτρικού και θερμικού πεδίου ραδιοσυχνοτήτων, ηλεκτροστατικών τσοκ ESC ή Ζωνών Θέρμανσης.
• Έλεγχος Πηγών Ρύπανσης & Μείωση CoO:Τα στρώματα εναπόθεσης CVD υψηλής καθαρότητας σφραγίζουν πυκνά τον πορώδη γραφίτη, μειώνοντας σημαντικά την αποβολή σωματιδίων, τη διάχυση ακαθαρσιών μετάλλων με εξαιρετικά ίχνη και τον κίνδυνο εξάτμισης σε υψηλή θερμοκρασία.

Τυπική σύγκριση επιλογής επίστρωσης (Οδηγός με μια ματιά)

Πραγματικά Οφέλη και Πελάτες (Εμπειρία):

Κορυφαίος κατασκευαστής SiC epitaxy (Epi):Το αρχικό εξάρτημα χρησιμοποιούσε μια αταίριαστη επίστρωση CVD TaC, με αποτέλεσμα υπερβολική διεπιφανειακή πίεση και συχνές μικρορωγμές σε υψηλή θερμοκρασία. Ξανατρέξαμε θερμοδυναμικές προσομοιώσεις και μεταβήκαμε σε αΕιδικό υπόστρωμα γραφίτη υψηλής καθαρότητας που ταιριάζει με CTE + στρώμα ρυθμιστή + επίστρωση CVD SiCδιάλυμα. Αποτέλεσμα: η μέση διάρκεια ζωής του εξαρτήματος αυξήθηκε από 200 ώρες σε 850 ώρες. Η ετήσια συχνότητα αντικατάστασης ανά εργαλείο μειώθηκε από 40 σε 9 φορές. Η εξοικονόμηση κόστους του ολοκληρωμένου εξοπλισμού O&M υπερέβη τα 650.000 RMB ετησίως.

Έκθεση ανάλυσης καθαρότητας GDMS για επικαλύψεις TaC και SiC

FAQ

Ξεκινήστε την αποκλειστική σας υπηρεσία τώρα