Νέα

Το άρθρο εξηγεί την κλίση της θερμοκρασίας σε έναν κλίβανο ενός κρυστάλλου. Καλύπτει τα στατικά και δυναμικά πεδία θερμότητας κατά την ανάπτυξη των κρυστάλλων, τη διεπαφή στερεού-υγρού και τον ρόλο της θερμοκρασίας στη στερεοποίηση.

Η διαδικασία Taiko thins Silicon Gafers χρησιμοποιώντας τις αρχές, τα τεχνικά πλεονεκτήματα και την προέλευση της διαδικασίας.

Έρευνα SIC SIC SIC και Homoepitaxial Process Research

Το άρθρο αναλύει τις ιδιότητες του υλικού των πλακών υποστρώματος ημιαγωγών όπως το πυρίτιο, το GaAs, το SiC και το GaN

Αυτό το άρθρο περιγράφει κυρίως την επιταξιακή τεχνολογία χαμηλής θερμοκρασίας με βάση το GAN, συμπεριλαμβανομένης της κρυσταλλικής δομής των υλικών που βασίζονται σε GAN, των απαιτήσεων επιταξιακής τεχνολογίας και των λύσεων υλοποίησης, των προοπτικών της επιταξιακής τεχνολογίας χαμηλής θερμοκρασίας με βάση τις αρχές PVD και τις αναπτυξιακές προοπτικές της επιταξιακής τεχνολογίας.

Αυτό το άρθρο εισάγει πρώτα τη μοριακή δομή και τις φυσικές ιδιότητες του TAC και επικεντρώνεται στις διαφορές και τις εφαρμογές του καρβιδίου του Sintered Tantalum και του καρβιδίου Tantalum, καθώς και των δημοφιλών προϊόντων TAC της Vetek Semiconductor.