Νέα

Η επίστρωση καρβιδίου του τανταλίου (TaC) μπορεί να παρατείνει σημαντικά τη διάρκεια ζωής των εξαρτημάτων γραφίτη βελτιώνοντας την αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, την αντίσταση στη διάβρωση, τις μηχανικές ιδιότητες και τις δυνατότητες διαχείρισης θερμότητας. Τα χαρακτηριστικά υψηλής καθαρότητάς του μειώνουν τη μόλυνση από ακαθαρσίες, βελτιώνουν την ποιότητα ανάπτυξης κρυστάλλων και ενισχύουν την ενεργειακή απόδοση. Είναι κατάλληλο για την κατασκευή ημιαγωγών και για εφαρμογές ανάπτυξης κρυστάλλων σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας, εξαιρετικά διαβρωτικά.

Οι επικαλύψεις καρβιδίου (TAC) χρησιμοποιούνται ευρέως στο πεδίο των ημιαγωγών, κυρίως για τα συστατικά αντιδραστήρα επιταξιακής ανάπτυξης, την απόδοση και την κρυστάλλινη ανάπτυξη, τη μείωση της κατανάλωσης και τη βελτίωση της σταθερότητας της σταθερότητας.

Κατά τη διάρκεια της διαδικασίας επιταξικής ανάπτυξης SIC, μπορεί να προκύψει αποτυχία ανάρτησης γραφίτη με επικάλυψη SIC. Το παρόν έγγραφο διεξάγει μια αυστηρή ανάλυση του φαινομένου αποτυχίας της εναιώρησης γραφίτη με επικάλυψη SIC, η οποία περιλαμβάνει κυρίως δύο παράγοντες: αποτυχία επιταξιακής αερίου SIC και αποτυχία επικάλυψης SIC.

Αυτό το άρθρο εξετάζει κυρίως τα αντίστοιχα πλεονεκτήματα και διαφορές της διαδικασίας της διαδικασίας επιτάξεως μοριακής δέσμης και των τεχνολογιών εναπόθεσης χημικών ατμών μετάλλων-οργανικών.

Το πορώδες καρβίδιο του τανταλίου της VeTek Semiconductor, ως νέα γενιά υλικού ανάπτυξης κρυστάλλων SiC, έχει πολλές εξαιρετικές ιδιότητες προϊόντος και παίζει βασικό ρόλο σε μια ποικιλία τεχνολογιών επεξεργασίας ημιαγωγών.

Η αρχή λειτουργίας του επιταξιακού κλιβάνου είναι η εναπόθεση υλικών ημιαγωγών σε ένα υπόστρωμα υπό υψηλή θερμοκρασία και υψηλή πίεση. Η επιταξιακή ανάπτυξη του πυριτίου είναι να αναπτυχθεί ένα στρώμα κρυστάλλου με τον ίδιο προσανατολισμό κρυστάλλου με το υπόστρωμα και διαφορετικό πάχος σε ένα ενιαίο κρύσταλλο πυριτίου με ορισμένο κρυσταλλικό προσανατολισμό. Αυτό το άρθρο εισάγει κυρίως τις μεθόδους επιταξιακής ανάπτυξης του πυριτίου: επιταξία φάσης ατμών και επιταξία υγρής φάσης.