Γιατί η επίστρωση SiC λαμβάνει τόση προσοχή; - VeTek Semiconductor

Τα τελευταία χρόνια, με τη συνεχή ανάπτυξη της βιομηχανίας ηλεκτρονικών,Ο ημιαγωγός τρίτης γενιάςτα υλικά έχουν γίνει μια νέα κινητήρια δύναμη για την ανάπτυξη της βιομηχανίας ημιαγωγών. Ως τυπικός εκπρόσωπος των υλικών ημιαγωγών τρίτης γενιάς, το SiC έχει χρησιμοποιηθεί ευρέως στον τομέα της κατασκευής ημιαγωγών, ειδικά σεθερμικό πεδίοΥλικά, λόγω των εξαιρετικών φυσικών και χημικών ιδιοτήτων του.

Λοιπόν, τι ακριβώς είναι η επίστρωση SiC; Και τι είναιΕπίστρωση CVD SiC?

Το SIC είναι μια ομοιοπολικά συνδεδεμένη ένωση με υψηλή σκληρότητα, εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα, συντελεστή χαμηλού θερμικής διαστολής και υψηλή αντοχή στη διάβρωση. Η θερμική αγωγιμότητά του μπορεί να φτάσει τα 120-170 w/m · k, που δείχνει εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα στην ηλεκτρονική διάχυση θερμότητας συστατικών. Επιπλέον, ο συντελεστής θερμικής διαστολής του καρβιδίου πυριτίου είναι μόνο 4,0 × 10-6/k (στην περιοχή 300-800 ℃), που του επιτρέπει να διατηρείται η σταθερότητα διαστάσεων σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας, μειώνοντας σημαντικά την παραμόρφωση ή την αποτυχία που προκαλείται από τη θερμική στρες. Η επίστρωση καρβιδίου πυριτίου αναφέρεται σε μια επίστρωση από καρβίδιο πυριτίου που παρασκευάζεται στην επιφάνεια των εξαρτημάτων με φυσική ή χημική εναπόθεση ατμών, ψεκασμό κ.λπ.  

Εναπόθεση χημικών ατμών (CVD)είναι επί του παρόντος η κύρια τεχνολογία για την προετοιμασία επικάλυψης SiC σε επιφάνειες υποστρώματος. Η κύρια διαδικασία είναι ότι τα αντιδρώντα αέριας φάσης υφίστανται μια σειρά από φυσικές και χημικές αντιδράσεις στην επιφάνεια του υποστρώματος και τελικά η επίστρωση CVD SiC εναποτίθεται στην επιφάνεια του υποστρώματος.

Δεδομένα SEM της επικάλυψης CVD SIC

Δεδομένου ότι η επίστρωση καρβιδίου του πυριτίου είναι τόσο ισχυρή, σε ποιες συνδέσεις της παραγωγής ημιαγωγών έχει διαδραματίσει τεράστιο ρόλο; Η απάντηση είναι τα αξεσουάρ παραγωγής επιταξίας.

Η επικάλυψη SIC έχει το βασικό πλεονέκτημα της υψηλής αντιστοίχισης της επιταξιακής διαδικασίας ανάπτυξης όσον αφορά τις ιδιότητες των υλικών. Τα παρακάτω είναι οι σημαντικοί ρόλοι και οι λόγοι της επίστρωσης SICΕπιταξιακός υποδοχέας επικάλυψης SIC:

1. Υψηλή θερμική αγωγιμότητα και αντίσταση υψηλής θερμοκρασίας

Η θερμοκρασία του επιταξιακού περιβάλλοντος ανάπτυξης μπορεί να φτάσει πάνω από 1000 ℃. Η επικάλυψη SIC έχει εξαιρετικά υψηλή θερμική αγωγιμότητα, η οποία μπορεί να διαλύσει αποτελεσματικά τη θερμότητα και να εξασφαλίσει την ομοιομορφία της θερμοκρασίας της επιταξιακής ανάπτυξης.

2. Χημική σταθερότητα

Η επίστρωση SiC έχει εξαιρετική χημική αδράνεια και μπορεί να αντισταθεί στη διάβρωση από διαβρωτικά αέρια και χημικά, διασφαλίζοντας ότι δεν αντιδρά αρνητικά με τα αντιδρώντα κατά την επιταξιακή ανάπτυξη και διατηρεί την ακεραιότητα και την καθαρότητα της επιφάνειας του υλικού.

3.

Στην επιταξιακή ανάπτυξη, η επίστρωση SiC μπορεί να συνδυαστεί καλά με μια ποικιλία επιταξιακών υλικών λόγω της κρυσταλλικής δομής της, η οποία μπορεί να μειώσει σημαντικά την αναντιστοιχία του πλέγματος, μειώνοντας έτσι τα κρυσταλλικά ελαττώματα και βελτιώνοντας την ποιότητα και την απόδοση του επιταξιακού στρώματος.

4. Συντελεστής χαμηλής θερμικής διαστολής

Η επίστρωση SiC έχει χαμηλό συντελεστή θερμικής διαστολής και είναι σχετικά κοντά σε αυτόν των κοινών επιταξιακών υλικών. Αυτό σημαίνει ότι σε υψηλές θερμοκρασίες, δεν θα υπάρχει έντονη τάση μεταξύ της βάσης και της επίστρωσης SiC λόγω της διαφοράς στους συντελεστές θερμικής διαστολής, αποφεύγοντας προβλήματα όπως ξεφλούδισμα υλικού, ρωγμές ή παραμόρφωση.

5. Υψηλή σκληρότητα και αντοχή στη φθορά

Η επικάλυψη SIC έχει εξαιρετικά υψηλή σκληρότητα, οπότε η επικάλυψη της στην επιφάνεια της επιταξιακής βάσης μπορεί να βελτιώσει σημαντικά την αντίσταση της φθοράς της και να επεκτείνει τη διάρκεια ζωής της, εξασφαλίζοντας παράλληλα ότι η γεωμετρία και η επιφάνεια της βάσης δεν έχουν υποστεί βλάβη κατά τη διάρκεια της επιταξιακής διαδικασίας.

Διατομή και εικόνα επιφάνειας της επίστρωσης SIC

Εκτός από το να είσαι αξεσουάρ για επιταξιακή παραγωγή,Η επίστρωση SiC έχει επίσης σημαντικά πλεονεκτήματα σε αυτούς τους τομείς:

Μεταφορείς ημιαγωγών：Κατά τη διάρκεια της επεξεργασίας ημιαγωγών, ο χειρισμός και η επεξεργασία των δισκίων απαιτεί εξαιρετικά υψηλή καθαριότητα και ακρίβεια. Η επίστρωση SIC χρησιμοποιείται συχνά σε μεταφορείς, αγκύλες και δίσκους.

Γκοφρέτα μεταφοράς

Προθέρμανση：Ο δακτύλιος προθέρμανσης βρίσκεται στον εξωτερικό δακτύλιο του επιταξιακού δίσκου υποστρώματος Si και χρησιμοποιείται για βαθμονόμηση και θέρμανση. Τοποθετείται στο θάλαμο αντίδρασης και δεν έρχεται σε άμεση επαφή με τη γκοφρέτα.

  Δακτύλιος προθέρμανσης

Το ανώτερο τμήμα του μισού φεγγάρι είναι ο φορέας άλλων αξεσουάρ του θαλάμου αντίδρασης τουΣυσκευή επιτάξεως SiC, η οποία είναι ελεγχόμενη από τη θερμοκρασία και εγκατεστημένη στο θάλαμο αντίδρασης χωρίς άμεση επαφή με το δίσκο. Είναι ελεγχόμενη θερμοκρασία, εγκατεστημένη στο θάλαμο αντίδρασης και δεν έρχεται σε άμεση επαφή με το δίσκο.

Ανώτερο μισό φεγγάρι

Επιπλέον, υπάρχουν χωνευτήριο τήξης για εξάτμιση στη βιομηχανία ημιαγωγών, πύλη ηλεκτρονικών σωλήνων υψηλής ισχύος, βούρτσα που έρχεται σε επαφή με τον ρυθμιστή τάσης, μονοχρωματικό γραφίτη για ακτίνες Χ και νετρόνια, διάφορα σχήματα υποστρωμάτων γραφίτη και Η επίστρωση σωλήνων ατομικής απορρόφησης, κ.λπ., η επίστρωση SiC διαδραματίζει όλο και πιο σημαντικό ρόλο.

Γιατί να επιλέξωΕίναι ημιαγωγός?

Στην VeTek Semiconductor, οι διαδικασίες κατασκευής μας συνδυάζουν μηχανική ακριβείας με προηγμένα υλικά για την παραγωγή προϊόντων επίστρωσης SiC με ανώτερη απόδοση και ανθεκτικότητα, όπως π.χ.Στήριγμα γκοφρέτας με επίστρωση SiC, δέκτης SiC Coating Epi,UV LED epi υποκειμένου, Κεραμική επίστρωση καρβιδίου πυριτίουκαιΕπικάλυψη SiC Υποδοχέας ALD. Είμαστε σε θέση να καλύψουμε τις συγκεκριμένες ανάγκες της βιομηχανίας ημιαγωγών καθώς και άλλων βιομηχανιών, παρέχοντας στους πελάτες υψηλής ποιότητας προσαρμοσμένη επίστρωση SIC.

Εάν έχετε οποιαδήποτε απορία ή χρειάζεστε πρόσθετες λεπτομέρειες, μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας.

Mob/Whatsapp: +86-180 6922 0752

Email: anny@veteksemi.com