LPE Halfmoon SIC EPI αντιδραστήρα

LPE Halfmoon SIC EPI αντιδραστήραείναι μια συσκευή ειδικά σχεδιασμένη για την παραγωγή υψηλής ποιότηταςεπιταξιακό καρβίδιο πυριτίου (sic)Τα στρώματα, όπου εμφανίζεται η επιταξιακή διαδικασία στο θάλαμο αντίδρασης Half-Moon, όπου το υπόστρωμα εκτίθεται σε ακραίες καταστάσεις όπως η υψηλή θερμοκρασία και τα διαβρωτικά αέρια. Για να εξασφαλιστεί η διάρκεια ζωής και η απόδοση των συστατικών του θαλάμου αντίδρασης, η εναπόθεση χημικών ατμών (CVD)Επικάλυψηχρησιμοποιείται συνήθως. 

LPE Halfmoon SIC EPI αντιδραστήραΣυστατικά:

Κύριος θάλαμος αντίδρασης: Ο κύριος θάλαμος αντίδρασης είναι κατασκευασμένος από ανθεκτικά σε υψηλή θερμοκρασία υλικά όπως καρβίδιο πυριτίου (sic) καιγραφίτης, τα οποία έχουν εξαιρετικά υψηλή αντίσταση χημικής διάβρωσης και αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία. Η θερμοκρασία λειτουργίας είναι συνήθως μεταξύ 1.400 ° C και 1.600 ° C, η οποία μπορεί να υποστηρίξει την ανάπτυξη κρυστάλλων καρβιδίου πυριτίου υπό συνθήκες υψηλής θερμοκρασίας. Η πίεση λειτουργίας του κύριου θαλάμου αντίδρασης είναι μεταξύ 10³και 10^-1Το MBAR και η ομοιομορφία της επιταξιακής ανάπτυξης μπορούν να ελεγχθούν ρυθμίζοντας την πίεση.

Εξαρτήματα θέρμανσης: Οι θερμαντήρες γραφίτη ή πυριτίου (sic) χρησιμοποιούνται γενικά, οι οποίες μπορούν να παρέχουν μια σταθερή πηγή θερμότητας υπό συνθήκες υψηλής θερμοκρασίας.

Η κύρια συνάρτηση του αντιδραστήρα EPI Halfmoon SIC του LPE είναι να αναπτύσσει επιταξιακά ταινίες καρβιδίου πυριτίου υψηλής ποιότητας. Ειδικά,εκδηλώνεται στις ακόλουθες πτυχές:

Επιθετική ανάπτυξη στρώματος: Μέσα από τη διαδικασία επιταξίας υγρής φάσης, τα επιθετικά στρώματα εξαιρετικά χαμηλής κατάθεσης μπορούν να καλλιεργηθούν σε υποστρώματα SIC, με ρυθμό ανάπτυξης περίπου 1-10 μm/h, το οποίο μπορεί να εξασφαλίσει εξαιρετικά υψηλή ποιότητα κρυστάλλων. Ταυτόχρονα, ο ρυθμός ροής αερίου στον κύριο θάλαμο αντίδρασης ελέγχεται συνήθως σε 10-100 SCCM (πρότυπα κυβικά εκατοστά ανά λεπτό) για να εξασφαλιστεί η ομοιομορφία του επιταξιακού στρώματος.

Σταθερότητα υψηλής θερμοκρασίας: Τα επιταξιακά στρώματα SIC μπορούν ακόμα να διατηρούν εξαιρετική απόδοση υπό περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής πίεσης και υψηλής συχνότητας.

Μειώστε την πυκνότητα ελαττωμάτων: Ο μοναδικός δομικός σχεδιασμός του αντιδραστήρα EPI Halfmoon SIC LPE μπορεί να μειώσει αποτελεσματικά τη δημιουργία κρυσταλλικών ελαττωμάτων κατά τη διάρκεια της διαδικασίας επιταξίας, βελτιώνοντας έτσι την απόδοση και την αξιοπιστία της συσκευής.

Η Vetek Semiconductor δεσμεύεται να παρέχει προηγμένες λύσεις τεχνολογίας και προϊόντων για τη βιομηχανία ημιαγωγών. Ταυτόχρονα, υποστηρίζουμε προσαρμοσμένες υπηρεσίες προϊόντων.Ελπίζουμε ειλικρινά να γίνουμε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας στην Κίνα.

Δεδομένα SEM της κρυσταλλικής δομής CVD SIC Film:

Βασικές φυσικές ιδιότητες της επίστρωσης CVD：

Vetek Semiconductor LPE Halfmoon SIC EPI Reactor Production: