Νέα της βιομηχανίας

Οι τέσσερις πιο ισχυροί κατασκευαστές γραφίτη στον κόσμο: SGL, Toyo Tanso, Tokai Carbon, Mersen και οι αντίστοιχες τυπικές περιοχές γραφίτη και εφαρμογής.

Το άρθρο περιγράφει τις εξαιρετικές φυσικές ιδιότητες του αισθητήρα του άνθρακα, τους συγκεκριμένους λόγους για την επιλογή της επικάλυψης SIC και τη μέθοδο και την αρχή της επικάλυψης SIC σε αισθητήρες άνθρακα. Αναλύει επίσης συγκεκριμένα τη χρήση του D8 Advance D-Ray Discractometer (XRD) για να αναλύσει τη σύνθεση φάσης του SIC επικάλυψης άνθρακα.

Οι κύριες μέθοδοι για την ανάπτυξη των μεμονωμένων κρυστάλλων SIC είναι: η μεταφορά φυσικών ατμών (PVT), η εναπόθεση χημικών ατμών υψηλής θερμοκρασίας (HTCVD) και η ανάπτυξη διαλύματος υψηλής θερμοκρασίας (HTSG).

Με την ανάπτυξη της ηλιακής φωτοβολταϊκής βιομηχανίας, οι φούρνοι διάχυσης και οι φούρνοι LPCVD είναι ο κύριος εξοπλισμός για την παραγωγή ηλιακών κυττάρων, οι οποίοι επηρεάζουν άμεσα την αποτελεσματική απόδοση των ηλιακών κυττάρων. Με βάση την ολοκληρωμένη απόδοση των προϊόντων και το κόστος χρήσης, τα κεραμικά υλικά του καρβιδίου πυριτίου έχουν περισσότερα πλεονεκτήματα στον τομέα των ηλιακών κυττάρων από τα υλικά χαλαζία. Η εφαρμογή κεραμικών υλικών καρβιδίου πυριτίου στη φωτοβολταϊκή βιομηχανία μπορεί να βοηθήσει σημαντικά τις φωτοβολταϊκές επιχειρήσεις να μειώσουν το βοηθητικό κόστος επενδύσεων, να βελτιώσουν την ποιότητα των προϊόντων και την ανταγωνιστικότητα. Η μελλοντική τάση των κεραμικών υλικών καρβιδίου πυριτίου στο φωτοβολταϊκό πεδίο είναι κυρίως προς υψηλότερη καθαρότητα, ισχυρότερη ικανότητα φορτίου, υψηλότερη ικανότητα φόρτωσης και χαμηλότερο κόστος.

Το άρθρο αναλύει τις συγκεκριμένες προκλήσεις που αντιμετωπίζει η διαδικασία επίστρωσης CVD TaC για την ανάπτυξη μονοκρυστάλλου SiC κατά την επεξεργασία ημιαγωγών, όπως ο έλεγχος πηγής και καθαρότητας υλικού, βελτιστοποίηση παραμέτρων διαδικασίας, πρόσφυση επίστρωσης, συντήρηση εξοπλισμού και σταθερότητα διεργασίας, προστασία του περιβάλλοντος και έλεγχος κόστους, όπως καθώς και τις αντίστοιχες βιομηχανικές λύσεις.

Από την άποψη της εφαρμογής της ανάπτυξης του SIC ενιαίου κρυστάλλου, αυτό το άρθρο συγκρίνει τις βασικές φυσικές παραμέτρους της επίστρωσης TAC και της επίστρωσης SIC και εξηγεί τα βασικά πλεονεκτήματα της επίστρωσης TAC πάνω από την επικάλυψη SIC όσον αφορά την υψηλή αντοχή στη θερμοκρασία, την ισχυρή χημική σταθερότητα, τις μειωμένες ακαθαρσίες και χαμηλότερο κόστος.

Υπάρχουν πολλοί τύποι εξοπλισμού μέτρησης στο εργοστάσιο FAB. Ο κοινός εξοπλισμός περιλαμβάνει τον εξοπλισμό μέτρησης της διαδικασίας λιθογραφίας, τον εξοπλισμό μέτρησης της διαδικασίας χάραξης, τον εξοπλισμό μέτρησης της διαδικασίας εναπόθεσης λεπτού φιλμ, τον εξοπλισμό μέτρησης της διαδικασίας ντόπινγκ, τον εξοπλισμό μέτρησης της διαδικασίας CMP, τον εξοπλισμό ανίχνευσης σωματιδίων πλακιδίων και τον άλλο εξοπλισμό μέτρησης.

Η επίστρωση καρβιδίου του τανταλίου (TaC) μπορεί να παρατείνει σημαντικά τη διάρκεια ζωής των εξαρτημάτων γραφίτη βελτιώνοντας την αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, την αντίσταση στη διάβρωση, τις μηχανικές ιδιότητες και τις δυνατότητες διαχείρισης θερμότητας. Τα χαρακτηριστικά υψηλής καθαρότητάς του μειώνουν τη μόλυνση από ακαθαρσίες, βελτιώνουν την ποιότητα ανάπτυξης κρυστάλλων και ενισχύουν την ενεργειακή απόδοση. Είναι κατάλληλο για την κατασκευή ημιαγωγών και για εφαρμογές ανάπτυξης κρυστάλλων σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας, εξαιρετικά διαβρωτικά.

Οι επικαλύψεις καρβιδίου (TAC) χρησιμοποιούνται ευρέως στο πεδίο των ημιαγωγών, κυρίως για τα συστατικά αντιδραστήρα επιταξιακής ανάπτυξης, την απόδοση και την κρυστάλλινη ανάπτυξη, τη μείωση της κατανάλωσης και τη βελτίωση της σταθερότητας της σταθερότητας.

Κατά τη διάρκεια της διαδικασίας επιταξικής ανάπτυξης SIC, μπορεί να προκύψει αποτυχία ανάρτησης γραφίτη με επικάλυψη SIC. Το παρόν έγγραφο διεξάγει μια αυστηρή ανάλυση του φαινομένου αποτυχίας της εναιώρησης γραφίτη με επικάλυψη SIC, η οποία περιλαμβάνει κυρίως δύο παράγοντες: αποτυχία επιταξιακής αερίου SIC και αποτυχία επικάλυψης SIC.

Αυτό το άρθρο εξετάζει κυρίως τα αντίστοιχα πλεονεκτήματα και διαφορές της διαδικασίας της διαδικασίας επιτάξεως μοριακής δέσμης και των τεχνολογιών εναπόθεσης χημικών ατμών μετάλλων-οργανικών.

Το πορώδες καρβίδιο του τανταλίου της VeTek Semiconductor, ως νέα γενιά υλικού ανάπτυξης κρυστάλλων SiC, έχει πολλές εξαιρετικές ιδιότητες προϊόντος και παίζει βασικό ρόλο σε μια ποικιλία τεχνολογιών επεξεργασίας ημιαγωγών.

Η αρχή λειτουργίας του επιταξιακού κλιβάνου είναι η εναπόθεση υλικών ημιαγωγών σε ένα υπόστρωμα υπό υψηλή θερμοκρασία και υψηλή πίεση. Η επιταξιακή ανάπτυξη του πυριτίου είναι να αναπτυχθεί ένα στρώμα κρυστάλλου με τον ίδιο προσανατολισμό κρυστάλλου με το υπόστρωμα και διαφορετικό πάχος σε ένα ενιαίο κρύσταλλο πυριτίου με ορισμένο κρυσταλλικό προσανατολισμό. Αυτό το άρθρο εισάγει κυρίως τις μεθόδους επιταξιακής ανάπτυξης του πυριτίου: επιταξία φάσης ατμών και επιταξία υγρής φάσης.

Η εναπόθεση χημικών ατμών (CVD) στην κατασκευή ημιαγωγών χρησιμοποιείται για την κατάθεση υλικών λεπτού φιλμ στο θάλαμο, συμπεριλαμβανομένου του SiO2, της αμαρτίας κλπ. Και οι συνήθως χρησιμοποιούνται τύποι περιλαμβάνουν PECVD και LPCVD. Ρυθμίζοντας τον τύπο θερμοκρασίας, πίεσης και αντίδρασης, η CVD επιτυγχάνει υψηλή καθαρότητα, ομοιομορφία και καλή κάλυψη φιλμ για την κάλυψη διαφορετικών απαιτήσεων διαδικασιών.

Αυτό το άρθρο περιγράφει κυρίως τις ευρείες προοπτικές εφαρμογής των κεραμικών καρβιδίου πυριτίου. Επικεντρώνεται επίσης στην ανάλυση των αιτίων της πυροσυσσωμάτωσης ρωγμών σε κεραμικά καρβιδίου πυριτίου και στις αντίστοιχες λύσεις.