Veeco Mocvd Providence

Είναι ημιαγωγόςVeeco mocvdΤο Wafer Suffeptor είναι ένα κρίσιμο συστατικό, σχολαστικά κατασκευασμένο χρησιμοποιώντας εξαιρετικά γραφίτη με έναεπίστρωση καρβιδίου πυριτίου (sic). ΑυτόΕπικάλυψηΠαρέχει πολυάριθμα οφέλη, κυρίως ενεργοποιώντας την αποτελεσματική θερμική μεταφορά στο υπόστρωμα. Η επίτευξη της βέλτιστης θερμικής κατανομής σε ολόκληρο το υπόστρωμα είναι απαραίτητη για τον ομοιόμορφο έλεγχο της θερμοκρασίας, εξασφαλίζοντας συνεπή, υψηλής ποιότητας εναπόθεση λεπτών υδατογραφίας, η οποία είναι ζωτικής σημασίας για την κατασκευή συσκευών ημιαγωγών.

Τεχνικές παραμέτρους

Μήτρα ιδιοτήτων υλικού

Βασικοί δείκτες Vetek Standard Παραδοσιακές λύσεις

Βασική καθαρότητα υλικού 6n Ισοστατικός γραφίτης 5N διαμορφωμένος γραφίτης

Βαθμός αντιστοίχισης CTE (25-1400 ℃) Δα ≤0,3 × 10⁻⁶/ k Δα ≥1,2 × 10⁻⁶/ k

Θερμική αγωγιμότητα @800 ℃ 110 w/m · k 85 w/m · k

Τραχύτητα επιφάνειας (RA) ≤0,1μm ≥0,5μm

Ανοχή οξέος (ph = 1@80 ℃) 1500 κύκλοι 300 κύκλοι

Ανασυγκρότηση βασικού πλεονεκτήματος

Καινοτομία θερμικής διαχείρισης

Ατομική τεχνική αντιστοίχισης CTE

Ιαπωνία Toyo Carbon Graphite/SGL υποστρώμα + Επικάλυψη SIC Gradient SIC

Η τάση του θερμικού κύκλου μειώθηκε κατά 82% (μετρήθηκε 1400 ℃↔rt 500 κύκλοι χωρίς ρωγμές)

Ευφυής σχεδιασμός θερμικού πεδίου

Δομή αντιστάθμισης θερμοκρασίας 12 ζώνης: επιτυγχάνει ± 0,5 ℃ ομοιομορφία στην επιφάνεια του φτενού φ200mm

Δυναμική θερμική απόκριση: κλίση θερμοκρασίας ≤1,2 ℃/cm σε ρυθμό θέρμανσης 5 ℃/s

Σύστημα χημικής προστασίας
Τριπλό σύνθετο φράγμα

50μm πυκνό κύριο προστατευτικό στρώμα SIC

Στρώμα μετάβασης νανοκής (προαιρετικό)

Πυκνοποίηση διήθησης αερίου

Επαληθεύτηκε από την ASTM G31-21:

CL Βάση διάβρωσης <0.003mm/έτος

Το NH3 εκτίθεται για 1000 ώρες χωρίς διάβρωση ορίων κόκκων

Έξυπνο σύστημα παραγωγής

Ψηφιακή δίδυμη επεξεργασία

Κέντρο κατεργασίας πέντε αξόνων: ακρίβεια θέσης ± 1,5μm

Online Ελέγξτε 3D Scanning: 100% επαλήθευση πλήρους μεγέθους (σύμφωνα με το ASME Y14.5)

Παρουσίαση αξίας βασισμένο σε σενάριο

Παραγωγή ημιαγωγών τρίτης γενιάς

Παράμετροι διαδικασίας σεναρίου εφαρμογής

Gan Hemt 6 ίντσες /150μm επιταξιακό δισδιάστατο πυκνότητα αερίου ηλεκτρονίων διακύμανση <2%

Η απόκλιση τάσης κατωφλίου SIC MOSFET C μειώνεται κατά 40%

Μήκος κύματος μικρο -LED Η ομοιομορφία ± 1,2nm chip chip αυξήθηκε κατά 15%

Βελτιστοποίηση κόστους συντήρησης

Η περίοδος καθαρισμού επεκτείνεται κατά 3 φορές: HF: HNO ₃ = 1: 3 Ο καθαρισμός υψηλής έντασης υποστηρίζεται

Σύστημα πρόβλεψης ζωής ανταλλακτικών: ακρίβεια αλγόριθμου AI ± 5%

Vetek Semiconductor Veoeco Mocvd Sensceptor Shops: