Μενού Ιστού

Αναζήτηση προϊόντων

Γλώσσα

Προϊόντα
Τμήματα κάλυψης επικάλυψης SIC
  • Τμήματα κάλυψης επικάλυψης SICΤμήματα κάλυψης επικάλυψης SIC

Τμήματα κάλυψης επικάλυψης SIC

Η VTECH Semiconductor δεσμεύεται για την ανάπτυξη και την εμπορευματοποίηση των επικαλυμμένων με CVD SIC Parts για τους αντιδραστήρες Aixtron. Για παράδειγμα, τα τμήματα κάλυψης της επίστρωσης SIC έχουν υποβληθεί προσεκτικά σε επεξεργασία για να παράγουν μια πυκνή επικάλυψη CVD με εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση, χημική σταθερότητα, καλωσορίζουμε να συζητήσουμε μαζί μας σενάρια εφαρμογής.
Αποστολή Ερώτησης
περιγραφή προϊόντος

Μπορείτε να είστε σίγουροι για να αγοράσετε τμήματα κάλυψης επικάλυψης SIC από το εργοστάσιό μας. Η τεχνολογία Micro LEDs διαταράσσει το υπάρχον οικοσύστημα LED με μεθόδους και προσεγγίσεις που μέχρι τώρα παρατηρήθηκαν μόνο στις βιομηχανίες LCD ή Semiconductor. Το σύστημα Aixtron G5 MOCVD υποστηρίζει τέλεια αυτές τις αυστηρές απαιτήσεις επέκτασης. Είναι ένας ισχυρός αντιδραστήρας MOCVD που σχεδιάστηκε κυρίως γιαΑνάπτυξη επιταξίας Gan με βάση το πυρίτιο.


Aixtron G5είναι ένα οριζόντιο σύστημα επιταξίας πλανητικού δίσκου, που αποτελείται κυρίως από εξαρτήματα όπως ο πλανητικός δίσκος επίστρωσης CVD, ο δακτύλιος Sic, ο συλλέκτης, ο συλλέκτης SIC, ο δακτύλιος κάλυψης SIC, ο δακτύλιος κάλυψης SIC


Ως κατασκευαστής επικάλυψης CVD SIC, ο Vetek Semiconductor προσφέρει τμήματα καλύμματος επικάλυψης Aixtron G5 SIC. Αυτοί οι ευαίσθητοι είναι κατασκευασμένοι από γραφίτη υψηλής καθαρότητας και διαθέτουν έναΕπικάλυψη CVD SICμε ακαθαρσίες κάτω από 5ppm.


Τα προϊόντα καλύμματος επικάλυψης CVD SIC παρουσιάζουν εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση, ανώτερη θερμική αγωγιμότητα και σταθερότητα υψηλής θερμοκρασίας. Αυτά τα προϊόντα αντιστέκονται αποτελεσματικά στη χημική διάβρωση και την οξείδωση, εξασφαλίζοντας την ανθεκτικότητα και τη σταθερότητα σε σκληρά περιβάλλοντα. Η εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα επιτρέπει την αποτελεσματική μεταφορά θερμότητας, ενισχύοντας την αποτελεσματικότητα της θερμικής διαχείρισης. 


Με τη σταθερότητα υψηλής θερμοκρασίας και την αντίσταση σε θερμικό σοκ, οι επικαλύψεις CVD μπορούν να αντέξουν σε ακραίες συνθήκες. Αποτρέπουν τη διάλυση και την οξείδωση του υποστρώματος γραφίτη, τη μείωση της μόλυνσης και τη βελτίωση της αποτελεσματικότητας της παραγωγής και της ποιότητας του προϊόντος. Η επίπεδη και ομοιόμορφη επιφάνεια επικάλυψης παρέχει ένα στερεό θεμέλιο για την ανάπτυξη του φιλμ, ελαχιστοποιώντας τα ελαττώματα που προκαλούνται από την αναντιστοιχία του πλέγματος και την ενίσχυση της κρυσταλλικότητας και της ποιότητας του φιλμ. Συνοπτικά, τα προϊόντα γραφίτη επικαλυμμένα με CVD προσφέρουν αξιόπιστες λύσεις υλικού για διάφορες βιομηχανικές εφαρμογές, συνδυάζοντας εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση, θερμική αγωγιμότητα και σταθερότητα υψηλής θερμοκρασίας.


Δεδομένα SEM της ταινίας CVD SIC

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Βασικές φυσικές ιδιότητες της επικάλυψης CVD:

Βασικές φυσικές ιδιότητες της επίστρωσης CVD
Ιδιοκτησία Τυπική αξία
Κρυσταλλική δομή FCC β φάσης Πολυκρυσταλλικές, κυρίως (111) προσανατολισμένες
Πυκνότητα επικάλυψης 3.21 g/cm3
Σκληρότητα επικάλυψης CVD SIC 2500 Vickers Hardness (500g φορτίο)
Μέγεθος κόκκων 2~10μm
Χημική καθαρότητα 99.99995%
Θερμότητα 640 J · kg-1· Κ-1
Θερμοκρασία εξάχνωσης 2700 ℃
Κάμψη 415 MPa RT 4 σημεία
Μέρο του Young 430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Θερμική αγωγιμότητα 300W · Μ-1· Κ-1
Θερμική επέκταση (CTE) 4,5 × 10-6 ·K-1

Είναι ημιαγωγόςSIC Επικάλυψη Τμήματα Κατοικιών Καταστήματα Προϊόντων:

SiC Coated Wafer CarrierAixtron equipmentCVD SiC Focus RingSemiconductor process Equipment

Επισκόπηση του ημιαγωγού Chip Epitaxy Industry Chain:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy

Hot Tags: Τμήματα κάλυψης επικάλυψης SIC
Σχετική Κατηγορία
Αποστολή Ερώτησης
Πληροφορίες επαφής

  • Διεύθυνση

    Wangda Road, οδός Ziyang, κομητεία Wuyi, πόλη Jinhua, επαρχία Zhejiang, Κίνα

  • Τηλ/

    +86-18069220752

  • ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ

    anny@veteksemi.com

Για ερωτήσεις σχετικά με την επίστρωση καρβιδίου πυριτίου, την επίστρωση καρβιδίου τανταλίου, τον ειδικό γραφίτη ή τον τιμοκατάλογο, αφήστε το email σας σε εμάς και θα επικοινωνήσουμε μαζί μας εντός 24 ωρών.
Σχετικά προϊόντα
Βασιζόμενη σε πυρίτιο επιταξιακό ευαισθησία
Βασιζόμενη σε πυρίτιο επιταξιακό ευαισθησία Δείτε περισσότερα >>
Sic Coated MOCVD Sensceptor
Sic Coated MOCVD Sensceptor Δείτε περισσότερα >>
Semiconductor Sensceptor Block SIC Coated
Semiconductor Sensceptor Block SIC Coated Δείτε περισσότερα >>
MOCVD επιταξιακός ευαισθητής για 4
MOCVD επιταξιακός ευαισθητής για 4 "πλακίδια Δείτε περισσότερα >>
Υποστήριξη MOCVD
Υποστήριξη MOCVD Δείτε περισσότερα >>
SIC Επικάλυψη Τμήματα Εσωτερικά
SIC Επικάλυψη Τμήματα Εσωτερικά Δείτε περισσότερα >>
Συστάσεις ειδήσεων
Τεχνολογία Tantalum Carbide Breakthrough, SIC επιταξονική ρύπανση μειώνεται κατά 75%;
Τεχνολογία Tantalum Carbide Breakthrough, SIC επιταξονική ρύπανση μειώνεται κατά 75%;Δείτε περισσότερα >>
Τι είναι η επίστρωση TAC TAC TANTALUM CARBIDE; - Veteksemicon
Τι είναι η επίστρωση TAC TAC TANTALUM CARBIDE; - VeteksemiconΔείτε περισσότερα >>
Τι είναι η επιταξιακή ανάπτυξη ελεγχόμενη με βήμα;
Τι είναι η επιταξιακή ανάπτυξη ελεγχόμενη με βήμα;Δείτε περισσότερα >>
Το Veteksemicon λάμπει στη Διεθνή Έκθεση Shanghai Semicon 2025
Το Veteksemicon λάμπει στη Διεθνή Έκθεση Shanghai Semicon 2025Δείτε περισσότερα >>
Ποια είναι η κλίση της θερμοκρασίας του θερμικού πεδίου ενός μοναδικού κλιβάνου;
Ποια είναι η κλίση της θερμοκρασίας του θερμικού πεδίου ενός μοναδικού κλιβάνου;Δείτε περισσότερα >>
Κεραμικές πλάκες πορώδους πυριτίου (SIC): Υλικά υψηλής απόδοσης στην κατασκευή ημιαγωγών
Κεραμικές πλάκες πορώδους πυριτίου (SIC): Υλικά υψηλής απόδοσης στην κατασκευή ημιαγωγώνΔείτε περισσότερα >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept