Κάτοχος θαλάσσιου πλακιδίου πυριτίου

Το κάτοχο πλακιδίων του καρβιδίου πυριτίου (sic) είναι ένα βασικό συστατικό στην κατασκευή ημιαγωγών, ειδικά σχεδιασμένη για εξαιρετικά καθαρές διαδικασίες υψηλής θερμοκρασίας όπως MOCVD (μεταλλική οργανική εναπόθεση χημικών ατμών), LPCVD, PECVD και θερμική ανάδυση. Ενσωματώνοντας μια πυκνή και στολήΕπικάλυψη CVD SICΣε ένα ισχυρό γραφίτη ή ένα κεραμικό υπόστρωμα, αυτός ο φορέας πλακιδίων εξασφαλίζει τόσο τη μηχανική σταθερότητα όσο και τη χημική αδράνεια υπό σκληρά περιβάλλοντα.

Ⅰ. Βασική λειτουργία στην επεξεργασία ημιαγωγών

Στην κατασκευή ημιαγωγών, οι κάτοχοι πλακιδίων διαδραματίζουν καθοριστικό ρόλο στη διασφάλιση ότι οι πλακές υποστηρίζονται με ασφάλεια, ομοιόμορφα θερμαινόμενα και προστατεύονται κατά την εναπόθεση ή τη θερμική επεξεργασία. Η επικάλυψη SIC παρέχει ένα αδρανές φράγμα μεταξύ του βασικού υποστρώματος και του περιβάλλοντος διεργασίας, ελαχιστοποιώντας αποτελεσματικά τη μόλυνση των σωματιδίων και την εξάλειψη, τα οποία είναι κρίσιμα για την επίτευξη υψηλής απόδοσης και αξιοπιστίας της συσκευής.

Οι βασικές εφαρμογές περιλαμβάνουν:

● Επιταξιακή ανάπτυξη (SIC, GAN, GAAS στρώματα)

● Θερμική οξείδωση και διάχυση

● Ανόπτηση υψηλής θερμοκρασίας (> 1200 ° C)

● Μεταφορά και υποστήριξη πλακιδίων κατά τη διάρκεια διαδικασιών κενού και πλάσματος

Ⅱ. Ανώτερα φυσικά χαρακτηριστικά

Αυτές οι παράμετροι καταδεικνύουν την ικανότητα του κατόχου του πλακιδίου να διατηρεί τη σταθερότητα της απόδοσης ακόμη και κάτω από αυστηρούς κύκλους διεργασίας, καθιστώντας την ιδανική για την κατασκευή συσκευών επόμενης γενιάς.

Ⅲ. Ροή εργασίας επεξεργασίας-σενάριο εφαρμογής βήμα προς βήμα

Ας πάρουμεΕπιταξία MOCVDΩς τυπικό σενάριο διαδικασίας για την απεικόνιση της χρήσης:

1. Τοποθέτηση δισκίων: Το πυρίτιο, το gan ή το δισκίο SIC τοποθετείται απαλά στον επικαλυμμένο με SIC Sensceptor.

2. Θέρμανση του θαλάμου: Ο θάλαμος θερμαίνεται γρήγορα σε υψηλές θερμοκρασίες (~ 1000-1600 ° C). Η επικάλυψη SIC εξασφαλίζει αποτελεσματική θερμική αγωγιμότητα και σταθερότητα επιφάνειας.

3. Πρόδρομος εισαγωγή: Οι προδρόμοι μετάλλων-οργανικών ρέουν στο θάλαμο. Η επικάλυψη SIC αντιστέκεται στις χημικές επιθέσεις και εμποδίζει την εξάπλωση από το υπόστρωμα.

4. Επιθετική ανάπτυξη στρώματος: Τα ομοιόμορφα στρώματα εναποτίθενται χωρίς μόλυνση ή θερμική distoΧάρη στην εξαιρετική επίπεδη και χημική αδράνεια του κατόχου.

5. Ψύξτε και εξαγωγή: Μετά την επεξεργασία, ο κάτοχος επιτρέπει την ασφαλή θερμική μετάβαση και την ανάκτηση δισκίων χωρίς απόρριψη σωματιδίων.

Με τη διατήρηση της σταθερότητας των διαστάσεων, της χημικής καθαρότητας και της μηχανικής αντοχής, το SIC SEFIFER SEFFOREDORE βελτιώνει σημαντικά την απόδοση της διαδικασίας και μειώνει το χρόνο διακοπής του εργαλείου.

CVD SIC CRITSTAL CRISTAL Δομή:

Veteksemicon Product Warehouse: