Aixtron G5 MOCVD Sensceptors

Ως επαγγελματίας κατασκευαστής, ο Vetek Semiconductor θα ήθελε να σας παρέχει Aixtron G5 MOCVD Sensceptors όπως Aixtron Epitaxy,  Επικαλυμμένο με Sicεξαρτήματα γραφίτη και Επικαλυμμένο με TACεξαρτήματα γραφίτη. Καλώς ήλθατε για να μας διερευνήσετε.

Το Aixtron G5 είναι ένα σύστημα εναπόθεσης για σύνθετους ημιαγωγούς. Το AIX G5 MOCVD χρησιμοποιεί έναν πελάτη παραγωγής που αποδεικνύεται από την πλατφόρμα Planetary Reactor Aixtron με ένα πλήρως αυτοματοποιημένο σύστημα μεταφοράς κασέτας (C2C). Πέτυχε το μεγαλύτερο μέγεθος κοιλότητας της βιομηχανίας (8 x 6 ίντσες) και τη μεγαλύτερη παραγωγική ικανότητα. Προσφέρει ευέλικτες διαμορφώσεις 6 και 4 ιντσών που έχουν σχεδιαστεί για να ελαχιστοποιούν το κόστος παραγωγής διατηρώντας παράλληλα εξαιρετική ποιότητα προϊόντων. Το ζεστό πλανητικό σύστημα CVD του τοίχου χαρακτηρίζεται από την ανάπτυξη πολλαπλών πλακών σε ένα μόνο κλίβανο και η απόδοση εξόδου είναι υψηλή. 

Το Vetek Semiconductor προσφέρει ένα πλήρες σύνολο αξεσουάρ για το σύστημα Aixtron G5 MOCVD Sensceptor, που αποτελείται από αυτά τα αξεσουάρ:

1.

Προσανατολισμός λειτουργίας: Ως μονάδα αντιδραστήρα πυρήνα της σειράς AIX G5, υιοθετεί την πλανητική τεχνολογία για την επίτευξη υψηλής ενιαίας εναπόθεσης υλικού σε γκοφρέτες.

Τεχνικά χαρακτηριστικά:

Αξιομετρική ομοιομορφία: Ο μοναδικός σχεδιασμός πλανητικής περιστροφής εξασφαλίζει εξαιρετικά ομοιόμορφη κατανομή επιφανειών δίσκων όσον αφορά το πάχος, τη σύνθεση του υλικού και τη συγκέντρωση του ντόπινγκ.

Συμβατότητα πολλαπλών πτερυγίων: Υποστηρίζει επεξεργασία παρτίδων 5 200 χιλιοστών (8 ιντσών) πλακιδίων ή 8 150mm πλακιδίων, αυξάνοντας σημαντικά την παραγωγικότητα.

Βελτιστοποίηση ελέγχου θερμοκρασίας: Με προσαρμόσιμες τσέπες υποστρώματος, η θερμοκρασία του δίσκου ελέγχεται με ακρίβεια για να μειωθεί η κάμψη του δίσκου λόγω θερμικών κλίσεων.

2. Οροφή (σύστημα οροφής ελέγχου θερμοκρασίας)

Προσανατολισμός της λειτουργίας: Ως συστατικό ελέγχου της κορυφαίας θερμοκρασίας του θαλάμου αντίδρασης, για να εξασφαλιστεί η σταθερότητα και η ενεργειακή απόδοση του περιβάλλοντος εναπόθεσης υψηλής θερμοκρασίας.

Τεχνικά χαρακτηριστικά:

Σχεδιασμός ροής χαμηλής θερμότητας: Η τεχνολογία "ζεστού οροφής" μειώνει τη ροή θερμότητας στην κατακόρυφη κατεύθυνση του δισκίου, μειώνει τον κίνδυνο παραμόρφωσης των δισκίων και υποστηρίζει τη διαδικασία λεπτότερου νιτριδίου γαλλίου (GAN-ON-SI) με βάση το πυρίτιο.

Υποστήριξη καθαρισμού in situ: Η ενσωματωμένη λειτουργία CL₂ in situ καθαρισμού μειώνει τον χρόνο συντήρησης του θαλάμου αντίδρασης και βελτιώνει τη συνεχή απόδοση λειτουργίας του εξοπλισμού.

3. Στοιχεία γραφίτη

Τοποθέτηση λειτουργιών: Ως συστατικό σφράγισης υψηλής θερμοκρασίας και ρουλεμάν, για να εξασφαλιστεί η αεραγωγία και η αντοχή στη διάβρωση του θαλάμου αντίδρασης.

Τεχνικά χαρακτηριστικά:

Αντίσταση υψηλής θερμοκρασίας: Η χρήση ευέλικτου υλικού γραφίτη υψηλής καθαρότητας, υποστήριξη -200 ℃ έως 850 ℃ ακραίο περιβάλλον θερμοκρασίας, κατάλληλο για την αμμωνία MOCVD (NH₃), τις οργανικές μεταλλικές πηγές και άλλα διαβρωτικά μέσα.

Αυτο-Lubrication and Resilience: Ο δακτύλιος γραφίτη έχει εξαιρετικά χαρακτηριστικά αυτο-παραμέτρων, τα οποία μπορούν να μειώσουν τη μηχανική φθορά, ενώ ο υψηλός συντελεστής ανθεκτικότητας προσαρμόζεται στην αλλαγή της θερμικής επέκτασης, εξασφαλίζοντας την αξιοπιστία μακροχρόνιας σφραγίδας.

Προσαρμοσμένος σχεδιασμός: Υποστήριξη 45 ° λοξή τομή, σχήματος V ή κλειστή δομή για να ικανοποιήσει διαφορετικές απαιτήσεις σφράγισης της κοιλότητας.

Τέταρτον, συστήματα υποστήριξης και δυνατότητες επέκτασης

Αυτοματοποιημένη επεξεργασία πλακιδίων: Ολοκληρωμένος χειριστής κασέτας προς κατσέτ για πλήρως αυτοματοποιημένη φόρτωση/εκφόρτωση με μειωμένη χειροκίνητη παρέμβαση.

Συμβατότητα διεργασίας: Υποστηρίξτε την επιταξιακή ανάπτυξη του νιτριδίου του γαλλίου (GAN), του αρσενίου φωσφόρου (ASP), της μικρο -LED και άλλων υλικών, κατάλληλα για ραδιοσυχνότητα (RF), συσκευές ισχύος, τεχνολογία προβολής και άλλα πεδία ζήτησης.

Αναβάθμιση ευελιξίας: Τα υπάρχοντα συστήματα G5 μπορούν να αναβαθμιστούν στην έκδοση G5+ με τροποποιήσεις υλικού για να φιλοξενήσουν μεγαλύτερες πλακίδια και προηγμένες διαδικασίες.

Κρυσταλλική δομή CVD SIC Film:

Βασικές φυσικές ιδιότητες της επικάλυψης CVD: