Πλανητικός επιχρυσωτής SIC

Ο πλανητικός ευαισθητής επικαλυμμένος με SIC είναι ένας πλανητικός φορέας επικαλυμμένος μεκαρβίδιο πυριτίου (sic), η οποία χρησιμοποιείται κυρίως σε διαδικασίες εναπόθεσης υλικού ημιαγωγών, όπως η εναπόθεση μεταλλικού οργανικού χημικού ατμού (MOCVD), η επιταξία μοριακής δέσμης (MBE) κλπ. Η κύρια λειτουργία της είναι η μεταφορά και η περιστροφή των δισκίων για να εξασφαλιστεί η ομοιομορφία και η συνεκτικότητα του θερμικού πεδίου κατά τη διάρκεια της διαδικασίας εναπόθεσης. Η κύρια λειτουργία του είναι να μεταφέρει και να περιστρέφεται τα πλακίδια για να εξασφαλιστεί η ομοιομορφία των υλικών και το θερμικό πεδίο κατά τη διάρκεια της εναπόθεσης και η επίστρωση SIC παρέχει στον φορέα εξαιρετική αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχή στη διάβρωση και θερμική αγωγιμότητα για ημιαγωγούς υψηλής ακρίβειαςόστιαεπεξεργασία.

Βασικά σενάρια εφαρμογών για το SIC επικαλυμμένο με πλανητικό Sensceptor

MOCVD επιταξιακή διαδικασία ανάπτυξης

Στη διαδικασία MOCVD, ο πλανητικός ευαισθητής με επικαλυμμένη με SIC χρησιμοποιείται κυρίως για τη μεταφορά πλακιδίων πυρίτιο (SI), καρβιδίου πυριτίου (SIC), νιτρίδιο του γαλλίου (GAN), αρσενίδιο γαλλίου (GaAs) και άλλα υλικά.

● Λειτουργικές απαιτήσεις: Ακριβής τοποθέτηση και συγχρονισμένη περιστροφή των πλακιδίων για να εξασφαλιστεί ομοιόμορφη κατανομή υλικών που έχουν κατατεθεί σε ατμούς στην επιφάνεια του δίσκου και να ενισχύσουν την ομοιομορφία του πάχους και της σύνθεσης του φιλμ.

● Πλεονέκτημα: Οι επικαλύψεις SIC είναι εξαιρετικά ανθεκτικές στη διάβρωση και μπορούν να αντέξουν τη διάβρωση των εξαιρετικά αντιδραστικών μεταλλικών-οργανικών προδρόμων όπως το τριμεθυλογαλίο (TMGA) και το τριμεθυλίδιο (TMIN), επεκτείνοντας τη διάρκεια ζωής τους.

Κατασκευή συσκευών ισχύος πυριτίου (sic)

Το SIC επικαλυμμένο με πλανητικό ευαισθησία χρησιμοποιείται ευρέως στην επιταξιακή ανάπτυξη συσκευών ισχύος SIC, όπως το MOSFET, το IGBT, το SBD και άλλες συσκευές.

● Λειτουργικές απαιτήσεις: Παρέχετε μια σταθερή πλατφόρμα θερμικής εξισορρόπησης σε περιβάλλοντα υψηλής θερμοκρασίας για να εξασφαλίσετε την ποιότητα κρυστάλλωσης επιταξιακής στρώσης και τον έλεγχο ελαττωμάτων.

● Πλεονέκτημα: Οι επικαλύψεις SIC είναι ανθεκτικές σε υψηλή θερμοκρασία (> 1600 ° C) και έχουν συντελεστή θερμικής διαστολής (4,0 × 10^-6 k^-1) κοντά σε αυτό των πλακιδίων καρβιδίου πυριτίου, οι οποίες μειώνουν αποτελεσματικά τις θερμικές τάσεις και βελτιώνουν την ποιότητα και τη σταθερότητα του επιταξιακού στρώματος.

Deep Ultraviolet (DUV) και Ultraviolet LED Epitaxial Manufacturing

Ο πλανητικός επιχρωμιωτικός επικαλυμμένος με SIC είναι κατάλληλος για την επιταξιακή ανάπτυξη υλικών όπως το νιτρίδιο του γαλλίου (GAN) και το νιτρίδιο του γαλλίου αλουμινίου (Algan) και χρησιμοποιείται ευρέως στην κατασκευή υπεριώδους ακτινοβολίας και μικρών LED.

● Λειτουργικές απαιτήσεις: Διατηρήστε τον ακριβή έλεγχο της θερμοκρασίας και την ομοιόμορφη κατανομή ροής αέρα για να εξασφαλίσετε την ακρίβεια του μήκους κύματος και την απόδοση της συσκευής.

● Πλεονέκτημα: Η υψηλή θερμική αγωγιμότητα και η αντοχή στην οξείδωση επιτρέπουν την άριστη σταθερότητα σε υψηλές θερμοκρασίες σε μεγάλες περιόδους λειτουργίας, συμβάλλοντας στη βελτίωση της φωτεινής απόδοσης και της συνοχής των τσιπ LED.

Επιλέξτε Vekemicon

Το Veteksemicon SIC επικαλυμμένο με πλανητικό ευαισθησία έχει επιδείξει αναντικατάστατα πλεονεκτήματα σε περιβάλλοντα κατασκευής ημιαγωγών υψηλής θερμοκρασίας, μέσω των μοναδικών ιδιοτήτων υλικού και του μηχανικού σχεδιασμού. Και τα κύρια προϊόντα πλανητικής ομοιότητας είναι ο πλανητικός επιθετικός της SIC,ALD Planetary Sensceptor, Πλανητικότητα επικάλυψης TACκαι ούτω καθεξής. Ταυτόχρονα, η Veteksemicon δεσμεύεται να παρέχει προσαρμοσμένα προϊόντα και τεχνικές υπηρεσίες στη βιομηχανία ημιαγωγών. Ανυπομονούμε ειλικρινά να είμαστε ο μακροπρόθεσμος συνεργάτης σας στην Κίνα.