Προϊόντα

Το CVD SIC Cofer Sensceptor του Veteksemicon είναι μια λύση αιχμής για επιταξιακές διεργασίες ημιαγωγών, προσφέροντας εξαιρετικά υψηλή καθαρότητα (≤100ppb, πιστοποιημένη ICP-E10) και εξαιρετική θερμική/χημική σταθερότητα για ανθεκτική στη μολυσματική ανάπτυξη των GAN, SIC και πυριτίου Epi-layers. Με την τεχνολογία CVD ακριβείας, υποστηρίζει τα πλακίδια 6 "/8"/12 ", εξασφαλίζει ελάχιστη θερμική καταπόνηση και αντέχει σε ακραίες θερμοκρασίες μέχρι 1600 ° C.

Ο πλανητικός αντιγοκύνθλος μας SIC είναι ένα βασικό συστατικό στη διαδικασία υψηλής θερμοκρασίας της παραγωγής ημιαγωγών. Ο σχεδιασμός του συνδυάζει το υπόστρωμα γραφίτη με επικάλυψη καρβιδίου πυριτίου για την επίτευξη ολοκληρωμένης βελτιστοποίησης της απόδοσης της θερμικής διαχείρισης, της χημικής σταθερότητας και της μηχανικής αντοχής.

Οι πορώδεις κεραμικές πλάκες SIC είναι πορώδη κεραμικά υλικά από καρβίδιο του πυριτίου ως το κύριο συστατικό και επεξεργάζονται με ειδικές διεργασίες. Είναι απαραίτητα υλικά στην κατασκευή ημιαγωγών, στην εναπόθεση χημικών ατμών (CVD) και σε άλλες διαδικασίες.

Ο δακτύλιος σφράγισης με επικάλυψη SIC για επιταξία είναι ένα συστατικό σφράγισης υψηλής απόδοσης που βασίζεται σε σύνθετα γραφίτη ή άνθρακα-άνθρακα που επικαλύπτεται με καρβίδιο πυριτίου υψηλής καθαρότητας (SIC) με χημική εναπόθεση ατμών (CVD), η οποία συνδυάζει τη θερμική σταθερότητα του γραφίτη με την ακραία περιβαλλοντική αντοχή του SIC και έχει σχεδιαστεί για εξοπλισμό ημιαγωγών (E. Mocvd, Mbe).

Η βάρκα χαλαζία υψηλής καθαρότητας είναι κατασκευασμένο από συντηγμένο χαλαζία (περιεχόμενο Sio₂ ≥ 99,99%). Με την εξαιρετική αντίσταση σε ακραία περιβάλλοντα, χαμηλό συντελεστή θερμικής διαστολής και κύκλο μεγάλης διάρκειας ζωής, έχει γίνει ένα αναντικατάστατο βασικό βασικό στοιχείο στις βιομηχανίες ημιαγωγών και νέων ενεργειακών βιομηχανιών.

Ο δακτύλιος εστίασης για τη χάραξη είναι το βασικό στοιχείο για να εξασφαλιστεί η ακρίβεια και η σταθερότητα της διαδικασίας. Αυτά τα εξαρτήματα συναρμολογούνται με ακρίβεια σε ένα θάλαμο κενού για να επιτευχθεί ομοιόμορφη κατεργασία δομών νανοκλίμακας στην επιφάνεια του δίσκου μέσω ακριβούς ελέγχου της κατανομής του πλάσματος, της θερμοκρασίας άκρων και της ομοιομορφίας του ηλεκτρικού πεδίου.