Τεχνολογία MOCVD

Η VeTek Semiconductor έχει πλεονέκτημα και εμπειρία στα ανταλλακτικά MOCVD Technology.

Το MOCVD, το πλήρες όνομα του Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (metal-organic Chemical Vapor Deposition), μπορεί επίσης να ονομαστεί επιταξία μετάλλου-οργανικού ατμού φάσης. Οι οργανομεταλλικές ενώσεις είναι μια κατηγορία ενώσεων με δεσμούς μετάλλου-άνθρακα. Αυτές οι ενώσεις περιέχουν τουλάχιστον έναν χημικό δεσμό μεταξύ ενός μετάλλου και ενός ατόμου άνθρακα. Οι μεταλλοοργανικές ενώσεις χρησιμοποιούνται συχνά ως πρόδρομες ουσίες και μπορούν να σχηματίσουν λεπτές μεμβράνες ή νανοδομές στο υπόστρωμα μέσω διαφόρων τεχνικών εναπόθεσης.

Η εναπόθεση ατμών μετάλλου-οργανικού ατμού (τεχνολογία MOCVD) είναι μια κοινή τεχνολογία επιταξιακής ανάπτυξης, η τεχνολογία MOCVD χρησιμοποιείται ευρέως στην κατασκευή λέιζερ ημιαγωγών και led. Ειδικά κατά την κατασκευή led, το MOCVD είναι μια βασική τεχνολογία για την παραγωγή νιτριδίου του γαλλίου (GaN) και συναφών υλικών.

Υπάρχουν δύο κύριες μορφές Επιταξίας: Επιταξία Υγρής Φάσης (LPE) και Επιταξία Φάσης Ατμού (VPE). Η επιταξία αέριας φάσης μπορεί περαιτέρω να χωριστεί σε μεταλλο-οργανική χημική εναπόθεση ατμών (MOCVD) και επιτάξιο μοριακής δέσμης (MBE).

Οι ξένοι κατασκευαστές εξοπλισμού αντιπροσωπεύονται κυρίως από την Aixtron και την Veeco. Το σύστημα MOCVD είναι ένας από τους βασικούς εξοπλισμούς για την κατασκευή λέιζερ, led, φωτοηλεκτρικών εξαρτημάτων, ισχύος, συσκευών ραδιοσυχνοτήτων και ηλιακών κυψελών.

Κύρια χαρακτηριστικά των ανταλλακτικών τεχνολογίας MOCVD που κατασκευάζει η εταιρεία μας:

1) Υψηλή πυκνότητα και πλήρης ενθυλάκωση: η βάση γραφίτη στο σύνολό της βρίσκεται σε υψηλή θερμοκρασία και διαβρωτικό περιβάλλον εργασίας, η επιφάνεια πρέπει να είναι πλήρως τυλιγμένη και η επίστρωση πρέπει να έχει καλή πύκνωση για να παίζει καλό προστατευτικό ρόλο.

2) Καλή επιπεδότητα επιφάνειας: Επειδή η βάση γραφίτη που χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη ενός κρυστάλλου απαιτεί πολύ υψηλή επιπεδότητα επιφάνειας, η αρχική επιπεδότητα της βάσης θα πρέπει να διατηρείται μετά την προετοιμασία της επίστρωσης, δηλαδή, το στρώμα επικάλυψης πρέπει να είναι ομοιόμορφο.

3) Καλή αντοχή συγκόλλησης: Μειώστε τη διαφορά στο συντελεστή θερμικής διαστολής μεταξύ της βάσης γραφίτη και του υλικού επικάλυψης, που μπορεί να βελτιώσει αποτελεσματικά την αντοχή συγκόλλησης μεταξύ των δύο και η επίστρωση δεν είναι εύκολο να σπάσει μετά από θερμότητα υψηλής και χαμηλής θερμοκρασίας κύκλος.

4) Υψηλή θερμική αγωγιμότητα: η ανάπτυξη τσιπ υψηλής ποιότητας απαιτεί από τη βάση γραφίτη να παρέχει γρήγορη και ομοιόμορφη θερμότητα, επομένως το υλικό επίστρωσης πρέπει να έχει υψηλή θερμική αγωγιμότητα.

5) Υψηλό σημείο τήξης, αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία, αντίσταση στη διάβρωση: η επίστρωση πρέπει να μπορεί να λειτουργεί σταθερά σε υψηλή θερμοκρασία και διαβρωτικό περιβάλλον εργασίας.

Τοποθετήστε υπόστρωμα 4 ιντσών
Μπλε-πράσινη επιταξία για καλλιέργεια LED
Στεγάζεται στον θάλαμο αντίδρασης
Άμεση επαφή με τη γκοφρέτα Τοποθετήστε υπόστρωμα 4 ιντσών
Χρησιμοποιείται για την ανάπτυξη επιταξιακού φιλμ UV LED
Στεγάζεται στον θάλαμο αντίδρασης
Άμεση επαφή με τη γκοφρέτα Μηχανή Veeco K868/Veeco K700
Λευκή επιταξία LED/Μπλε-πράσινη επίταση LED Χρησιμοποιείται στον εξοπλισμό VEECO
Για MOCVD Epitaxy
SiC Coating Susceptor Εξοπλισμός Aixtron TS
Βαθιά υπεριώδης επιταξία
Υπόστρωμα 2 ιντσών Εξοπλισμός Veeco
Κόκκινο-Κίτρινο LED Επιτάξιο
Υπόστρωμα γκοφρέτας 4 ιντσών Επικαλυμμένο με TaC Susceptor
(Δέκτης SiC Epi/UV LED) Επικαλυμμένο με SiC Susceptor
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Susceptor)