Στοιχείο θέρμανσης CVD SIC

Το στοιχείο θέρμανσης CVD SIC χρησιμοποιείται κυρίως σε εξοπλισμό PVD (φυσικός ατμός). Στη διαδικασία εξάτμισης, το υλικό θερμαίνεται για να επιτευχθεί εξάτμιση ή ψεκασμό και τελικά σχηματίζεται ομοιόμορφη λεπτή μεμβράνη στο υπόστρωμα.

Ⅰ.Ειδική εφαρμογή

Η εναπόθεση λεπτού φιλμ: Το στοιχείο θέρμανσης CVD SIC χρησιμοποιείται στην πηγή εξάτμισης ή στην πηγή ψεκασμού. Με τη θέρμανση, το στοιχείο θερμαίνει το υλικό που εναποτίθεται σε υψηλή θερμοκρασία, έτσι ώστε τα άτομα ή τα μόρια του να διαχωρίζονται από την επιφάνεια του υλικού, σχηματίζοντας έτσι ατμούς ή πλάσμα. Η επικάλυψη SIC που βασίζεται στο στοιχείο θέρμανσης μπορεί επίσης να θερμαίνει άμεσα μερικά μέταλλα ή κεραμικά υλικά για να εξατμιστούν ή να τα εξαγνίσουν σε ένα περιβάλλον κενού για χρήση ως πηγή υλικού στη διαδικασία PVD. Επειδή η δομή έχει ομόκεντρες αυλακώσεις, μπορεί να ελέγξει καλύτερα την τρέχουσα διαδρομή και τη διανομή θερμότητας για να εξασφαλίσει την ομοιομορφία της θέρμανσης.

Σχηματικό διάγραμμα της διαδικασίας PVD εξάτμισης

Ⅱ.Αρχή εργασίας

Η θέρμανση αντιστάσεων, όταν το ρεύμα διέρχεται από τη διαδρομή αντίστασης του θερμαντήρα με επικάλυψη SIC, παράγεται θερμότητα Joule, επιτυγχάνοντας έτσι την επίδραση της θέρμανσης. Η ομόκεντρη δομή επιτρέπει στο ρεύμα να είναι ομοιόμορφα κατανεμημένο. Μια συσκευή ελέγχου θερμοκρασίας συνδέεται συνήθως στο στοιχείο για την παρακολούθηση και τη ρύθμιση της θερμοκρασίας.

Ⅲ.Υλικό και δομικό σχέδιο

Το στοιχείο θέρμανσης CVD SIC είναι κατασκευασμένο από γραφίτη υψηλής καθαρότητας και επικάλυψη SIC για την αντιμετώπιση του περιβάλλοντος υψηλής θερμοκρασίας. Ο ίδιος ο γραφίτης υψηλής καθαρότητας έχει χρησιμοποιηθεί ευρέως ως υλικό θερμικού πεδίου. Αφού εφαρμόζεται ένα στρώμα επικάλυψης στην επιφάνεια γραφίτη με τη μέθοδο CVD, βελτιώνονται περαιτέρω η σταθερότητα της υψηλής θερμοκρασίας, η αντοχή στη διάβρωση, η θερμική απόδοση και τα άλλα χαρακτηριστικά.

Ο σχεδιασμός των ομόκεντρων αυλακώσεων επιτρέπει στο ρεύμα να σχηματίζει έναν ομοιόμορφο βρόχο στην επιφάνεια του δίσκου. Επιτυγχάνει ομοιόμορφη κατανομή θερμότητας, αποφεύγει την τοπική υπερθέρμανση που προκαλείται από τη συγκέντρωση σε ορισμένες περιοχές, μειώνει την πρόσθετη απώλεια θερμότητας που προκαλείται από τη συγκέντρωση ρεύματος και έτσι βελτιώνει την αποτελεσματικότητα της θέρμανσης.

Το στοιχείο θέρμανσης CVD SIC αποτελείται από δύο πόδια και ένα σώμα. Κάθε πόδι έχει ένα νήμα που συνδέεται με την τροφοδοσία ρεύματος. Το Vetek Semiconductor μπορεί να κάνει κομμάτια ενός τεμαχίου ή χωριστά μέρη, δηλαδή τα πόδια και το σώμα γίνονται ξεχωριστά και στη συνέχεια συναρμολογούνται. Ανεξάρτητα από τις απαιτήσεις που έχετε για τον θερμαντήρα επικαλυμμένο με CVD, παρακαλούμε να μας συμβουλευτείτε. Το Veteksemi μπορεί να παρέχει τα προϊόντα που χρειάζεστε.

Βασικές φυσικές ιδιότητες της επίστρωσης CVD: