Δέκτης γραφίτη με επίστρωση TaC

Είστε ευπρόσδεκτοι να έρθετε στο εργοστάσιό μας VeTek Semiconductor για να αγοράσετε το πιο πρόσφατο σε πωλήσεις, χαμηλή τιμή και υψηλής ποιότητας TaC Coated Graphite Susceptor. Ανυπομονούμε να συνεργαστούμε μαζί σας.

Το κεραμικό υλικό Tantalum Carbide Carbide Point μέχρι το 3880 ℃, είναι ένα υψηλό σημείο τήξης και η καλή χημική σταθερότητα της ένωσης, το περιβάλλον υψηλής θερμοκρασίας μπορεί να διατηρεί σταθερή απόδοση, επιπλέον, έχει επίσης υψηλή αντοχή στη θερμοκρασία, χημική αντοχή στη διάβρωση, καλή χημική ουσία και μηχανική συμβατότητα με υλικά άνθρακα και άλλα χαρακτηριστικά, καθιστώντας το ιδανικό υλικό προστατευτικού υποστρώματος γραφίτη. Η επίστρωση καρβιδίου του ταντάλου μπορεί να προστατεύσει αποτελεσματικά τα συστατικά γραφίτη από την επίδραση της θερμής αμμωνίας, του υδρογόνου και του ατμού πυριτίου και του τετηγμένου μετάλλου στο περιβάλλον της σκληρής χρήσης, επεκτείνει σημαντικά τη διάρκεια ζωής των συστατικών γραφίτη και αναστέλλει τη μετανάστευση των ακαθαρσιών στον γραφίτη, εξασφαλίζοντας την ποιότητα της επιταξίας και της ανάπτυξης των κρυστάλλων. Χρησιμοποιείται κυρίως σε υγρή κεραμική διαδικασία.

Η χημική εναπόθεση ατμών (CVD) είναι η πιο ώριμη και βέλτιστη μέθοδος προετοιμασίας για την επίστρωση καρβιδίου του τανταλίου στην επιφάνεια του γραφίτη.

Μέθοδος επικάλυψης CVD TaC για επιδεκτικό γραφίτη με επικάλυψη TaC:

Η διαδικασία επικάλυψης χρησιμοποιεί TaCl5 και προπυλένιο ως πηγή άνθρακα και πηγή τανταλίου αντίστοιχα, και αργό ως αέριο φορέα για να φέρει ατμό πενταχλωριούχου τανταλίου στον θάλαμο αντίδρασης μετά από αεριοποίηση σε υψηλή θερμοκρασία. Κάτω από τη θερμοκρασία και την πίεση στόχο, ο ατμός του προδρόμου υλικού προσροφάται στην επιφάνεια του τμήματος γραφίτη και εμφανίζεται μια σειρά από πολύπλοκες χημικές αντιδράσεις όπως η αποσύνθεση και ο συνδυασμός πηγής άνθρακα και πηγής τανταλίου. Ταυτόχρονα, εμπλέκονται επίσης μια σειρά επιφανειακών αντιδράσεων όπως η διάχυση του προδρόμου και η εκρόφηση των υποπροϊόντων. Τέλος, στην επιφάνεια του τμήματος γραφίτη σχηματίζεται ένα πυκνό προστατευτικό στρώμα, το οποίο προστατεύει το τμήμα γραφίτη από το να είναι σταθερό κάτω από ακραίες περιβαλλοντικές συνθήκες. Τα σενάρια εφαρμογής υλικών γραφίτη διευρύνονται σημαντικά.

Παράμετρος προϊόντος του επικαλυμμένου TaC Graphite Susceptor:

Καταστήματα παραγωγής:

Επισκόπηση της αλυσίδας βιομηχανίας επιταξίας τσιπ ημιαγωγών: