Νέα

Το άρθρο εξηγεί την κλίση της θερμοκρασίας σε έναν κλίβανο ενός κρυστάλλου. Καλύπτει τα στατικά και δυναμικά πεδία θερμότητας κατά την ανάπτυξη των κρυστάλλων, τη διεπαφή στερεού-υγρού και τον ρόλο της θερμοκρασίας στη στερεοποίηση.

Η διαδικασία Taiko thins Silicon Gafers χρησιμοποιώντας τις αρχές, τα τεχνικά πλεονεκτήματα και την προέλευση της διαδικασίας.

Έρευνα SIC SIC SIC και Homoepitaxial Process Research

Το άρθρο αναλύει τις ιδιότητες του υλικού των πλακών υποστρώματος ημιαγωγών όπως το πυρίτιο, το GaAs, το SiC και το GaN