Νέα

Νέα

Είμαστε στην ευχάριστη θέση να μοιραστούμε μαζί σας τα αποτελέσματα της δουλειάς μας, τα νέα της εταιρείας και να σας παρέχουμε έγκαιρες εξελίξεις και τις συνθήκες διορισμού και απομάκρυνσης προσωπικού.
Μια πλήρης εξήγηση της διαδικασίας κατασκευής τσιπ (1/2): από το πλακίδιο έως τη συσκευασία και τη δοκιμή18 2024-09

Μια πλήρης εξήγηση της διαδικασίας κατασκευής τσιπ (1/2): από το πλακίδιο έως τη συσκευασία και τη δοκιμή

Η διαδικασία κατασκευής ημιαγωγών περιλαμβάνει οκτώ βήματα: επεξεργασία πλακιδίων, οξείδωση, λιθογραφία, χάραξη, εναπόθεση λεπτού φιλμ, διασύνδεση, δοκιμές και συσκευασία. Το πυρίτιο από άμμο επεξεργάζεται σε γκοφρέτες, οξειδωμένες, μοτίβες και χαραγμένες για κυκλώματα υψηλής ακρίβειας.
Πόσο γνωρίζετε για το Sapphire;09 2024-09

Πόσο γνωρίζετε για το Sapphire;

Αυτό το άρθρο περιγράφει ότι το υπόστρωμα LED είναι η μεγαλύτερη εφαρμογή του ζαφείρι, καθώς και οι κύριες μεθόδους παρασκευής κρυστάλλων ζαφείρι: αναπτυσσόμενοι κρύσταλλοι ζαφείρι με τη μέθοδο Czochralski, αυξανόμενους κρυστάλλους ζαφείρι με τη μέθοδο του Κιρόπουλου, καλλιέργειας κρυστάλλων ζαφείρι με τη μέθοδο καθοδηγούμενης μούχλα και αναπτυσσόμενους κρυστάλλους ζαφείρι με τη μέθοδο ανταλλαγής θερμότητας.
Ποια είναι η κλίση της θερμοκρασίας του θερμικού πεδίου ενός μοναδικού κλιβάνου;09 2024-09

Ποια είναι η κλίση της θερμοκρασίας του θερμικού πεδίου ενός μοναδικού κλιβάνου;

Το άρθρο εξηγεί την κλίση της θερμοκρασίας σε έναν κλίβανο ενός κρυστάλλου. Καλύπτει τα στατικά και δυναμικά πεδία θερμότητας κατά την ανάπτυξη των κρυστάλλων, τη διεπαφή στερεού-υγρού και τον ρόλο της θερμοκρασίας στη στερεοποίηση.
Πόσο λεπτή μπορεί η διαδικασία Taiko να κάνει τα πλακίδια πυριτίου;04 2024-09

Πόσο λεπτή μπορεί η διαδικασία Taiko να κάνει τα πλακίδια πυριτίου;

Η διαδικασία Taiko thins Silicon Gafers χρησιμοποιώντας τις αρχές, τα τεχνικά πλεονεκτήματα και την προέλευση της διαδικασίας.
Έρευνα SIC SIC SIC και Homoepitaxial Process Research29 2024-08

Έρευνα SIC SIC SIC και Homoepitaxial Process Research

Έρευνα SIC SIC SIC και Homoepitaxial Process Research
Γκοφρέτα υποστρώματος ημιαγωγών: Ιδιότητες υλικού πυριτίου, GaAs, SiC και GaN28 2024-08

Γκοφρέτα υποστρώματος ημιαγωγών: Ιδιότητες υλικού πυριτίου, GaAs, SiC και GaN

Το άρθρο αναλύει τις ιδιότητες του υλικού των πλακών υποστρώματος ημιαγωγών όπως το πυρίτιο, το GaAs, το SiC και το GaN
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept