Νέα

Αυτό το άρθρο παρουσιάζει τις τελευταίες εξελίξεις στον πρόσφατα σχεδιασμένο αντιδραστήρα CVD θερμού τοιχώματος PE1O8 της ιταλικής εταιρείας LPE και την ικανότητά του να εκτελεί ομοιόμορφη επιταξία 4H-SiC σε 200mm SiC.

Με την αυξανόμενη ζήτηση για υλικά SIC στα ηλεκτρονικά ισχύος, την οπτικοηλεκτρονική και σε άλλους τομείς, η ανάπτυξη της τεχνολογίας SIC μονής κρυστάλλων θα αποτελέσει βασικό τομέα της επιστημονικής και τεχνολογικής καινοτομίας. Ως πυρήνας του εξοπλισμού SIC ενιαίου κρυστάλλου, ο σχεδιασμός του θερμικού πεδίου θα συνεχίσει να λαμβάνει εκτεταμένη προσοχή και εμπεριστατωμένη έρευνα.

Μέσω της συνεχούς τεχνολογικής προόδου και της σε βάθος έρευνας μηχανισμού, η 3C-SIC ετεροεπιταξιακή τεχνολογία αναμένεται να διαδραματίσει πιο σημαντικό ρόλο στη βιομηχανία ημιαγωγών και να προωθήσει την ανάπτυξη ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής απόδοσης.

Χωρική ALD, χωρικά απομονωμένη εναπόθεση ατομικού στρώματος. Το δίσκο μετακινείται μεταξύ διαφορετικών θέσεων και εκτίθεται σε διαφορετικούς πρόδρομους σε κάθε θέση. Το παρακάτω σχήμα είναι μια σύγκριση μεταξύ της παραδοσιακής ALD και του χωρικά απομονωμένου ALD.

Πρόσφατα, το Γερμανικό Ερευνητικό Ινστιτούτο Fraunhofer IISB έχει κάνει μια σημαντική ανακάλυψη στην έρευνα και ανάπτυξη της τεχνολογίας επίστρωσης καρβιδίου Tantalum και ανέπτυξε μια λύση επίστρωσης ψεκασμού που είναι πιο ευέλικτη και φιλική προς το περιβάλλον από τη λύση εναπόθεσης CVD και έχει εμπορευματοποιηθεί.

Σε μια εποχή ραγδαίας τεχνολογικής ανάπτυξης, η τρισδιάστατη εκτύπωση, ως σημαντικός εκπρόσωπος της προηγμένης τεχνολογίας κατασκευής, αλλάζει σταδιακά το πρόσωπο της παραδοσιακής κατασκευής. Με τη συνεχή ωριμότητα της τεχνολογίας και τη μείωση του κόστους, η τεχνολογία 3D εκτύπωσης έχει δείξει ευρείες προοπτικές εφαρμογής σε πολλούς τομείς όπως η αεροδιαστημική, η αυτοκινητοβιομηχανία, ο ιατρικός εξοπλισμός και ο αρχιτεκτονικός σχεδιασμός, και έχει προωθήσει την καινοτομία και την ανάπτυξη αυτών των βιομηχανιών.