Νέα

Για την παραγωγή βιομηχανικής κλίμακας υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου, η επιτυχία μιας και μόνο σειράς ανάπτυξης δεν είναι ο τελικός στόχος. Η πραγματική πρόκληση έγκειται στη διασφάλιση ότι οι κρύσταλλοι που αναπτύσσονται σε διαφορετικές παρτίδες, εργαλεία και χρονικές περιόδους διατηρούν υψηλό επίπεδο συνέπειας και επαναληψιμότητας στην ποιότητα. Σε αυτό το πλαίσιο, ο ρόλος της επίστρωσης καρβιδίου του τανταλίου (TaC) υπερβαίνει τη βασική προστασία - γίνεται βασικός παράγοντας για τη σταθεροποίηση του παραθύρου της διαδικασίας και τη διασφάλιση της απόδοσης του προϊόντος.

Η ανάπτυξη PVT καρβιδίου του πυριτίου (SiC) περιλαμβάνει σοβαρό θερμικό κύκλο (θερμοκρασία δωματίου πάνω από 2200 ℃). Η τεράστια θερμική τάση που δημιουργείται μεταξύ της επικάλυψης και του υποστρώματος γραφίτη λόγω της αναντιστοιχίας των συντελεστών θερμικής διαστολής (CTE) είναι η βασική πρόκληση που καθορίζει τη διάρκεια ζωής της επίστρωσης και την αξιοπιστία της εφαρμογής.

Στη διαδικασία ανάπτυξης κρυστάλλων PVT καρβιδίου του πυριτίου (SiC), η σταθερότητα και η ομοιομορφία του θερμικού πεδίου καθορίζουν άμεσα τον ρυθμό ανάπτυξης των κρυστάλλων, την πυκνότητα ελαττώματος και την ομοιομορφία του υλικού. Ως όριο του συστήματος, τα στοιχεία θερμικού πεδίου εμφανίζουν επιφανειακές θερμοφυσικές ιδιότητες των οποίων οι μικρές διακυμάνσεις ενισχύονται δραματικά υπό συνθήκες υψηλής θερμοκρασίας, οδηγώντας τελικά σε αστάθεια στη διεπαφή ανάπτυξης.