Νέα

Οι βασικές μέθοδοι ανάπτυξης του Silicon Carbide (SIC) περιλαμβάνουν PVT, TSSG και HTCVD, το καθένα με ξεχωριστά πλεονεκτήματα και προκλήσεις. Τα υλικά θερμικού πεδίου με βάση τον άνθρακα, όπως τα συστήματα μόνωσης, τα χωνευτήρια, οι επικαλύψεις TAC και ο πορώδης γραφίτης, ενισχύουν την ανάπτυξη των κρυστάλλων παρέχοντας σταθερότητα, θερμική αγωγιμότητα και καθαρότητα, απαραίτητα για την ακριβή κατασκευή και εφαρμογή της SIC.

Το SiC έχει υψηλή σκληρότητα, θερμική αγωγιμότητα και αντοχή στη διάβρωση, καθιστώντας το ιδανικό για την κατασκευή ημιαγωγών. Η επίστρωση CVD SiC δημιουργείται μέσω χημικής εναπόθεσης ατμών, παρέχοντας υψηλή θερμική αγωγιμότητα, χημική σταθερότητα και αντίστοιχη σταθερά πλέγματος για επιταξιακή ανάπτυξη. Η χαμηλή θερμική διαστολή και η υψηλή σκληρότητά του εξασφαλίζουν ανθεκτικότητα και ακρίβεια, καθιστώντας το απαραίτητο σε εφαρμογές όπως δοχεία γκοφρέτας, δακτύλιοι προθέρμανσης και πολλά άλλα. Η VeTek Semiconductor ειδικεύεται σε προσαρμοσμένες επιστρώσεις SiC για διαφορετικές ανάγκες της βιομηχανίας.

Το καρβίδιο του πυριτίου (SIC) είναι ένα υλικό ημιαγωγού υψηλής ακρίβειας γνωστό για τις εξαιρετικές του ιδιότητες όπως η αντοχή σε υψηλή θερμοκρασία, η αντοχή στη διάβρωση και η υψηλή μηχανική αντοχή. Έχει πάνω από 200 κρυσταλλικές δομές, με το 3C-SIC να είναι ο μόνος κυβικός τύπος, προσφέροντας ανώτερη φυσική σφαιρικότητα και πυκνότητα σε σύγκριση με άλλους τύπους. Το 3C-SIC ξεχωρίζει για την υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων, καθιστώντας το ιδανικό για MOSFETs σε ηλεκτρονικά ηλεκτρικά. Επιπλέον, δείχνει μεγάλες δυνατότητες στη νανοηλεκτρονική, τις μπλε LED και τους αισθητήρες.

Το Diamond, ένας πιθανός "τελικός ημιαγωγός" τέταρτης γενιάς, κερδίζει προσοχή στα υποστρώματα ημιαγωγών λόγω της εξαιρετικής σκληρότητας, της θερμικής αγωγιμότητας και των ηλεκτρικών ιδιοτήτων. Ενώ οι προκλήσεις υψηλού κόστους και παραγωγής περιορίζουν τη χρήση του, η CVD είναι η προτιμώμενη μέθοδος. Παρά τις προκλήσεις του Doping και των μεγάλων κρυστάλλων, η Diamond έχει υπόσχεση.

Το SIC και το GAN είναι μεγάλοι ημιαγωγοί Bandgap με πλεονεκτήματα έναντι πυριτίου, όπως υψηλότερες τάσεις διάσπασης, ταχύτερες ταχύτητες μεταγωγής και ανώτερη απόδοση. Το SIC είναι καλύτερο για εφαρμογές υψηλής τάσης, υψηλής ισχύος λόγω της υψηλότερης θερμικής αγωγιμότητας, ενώ η GAN υπερέχει σε εφαρμογές υψηλής συχνότητας χάρη στην ανώτερη κινητικότητα ηλεκτρονίων.

Η εξάτμιση δέσμης ηλεκτρονίων είναι μια εξαιρετικά αποτελεσματική και ευρέως χρησιμοποιούμενη μέθοδος επίστρωσης σε σύγκριση με τη θέρμανση με αντίσταση, η οποία θερμαίνει το υλικό εξάτμισης με μια δέσμη ηλεκτρονίων, προκαλώντας την εξάτμιση και συμπύκνωση σε ένα λεπτό φιλμ.