SIC Coating Halfmoon Graphite Parts

Στον θάλαμο αντίδρασης του κλιβάνου επιταξιακής ανάπτυξης SiC, τα εξαρτήματα γραφίτη Halfmoon με επίστρωση SiC είναι βασικά συστατικά για τη βελτιστοποίηση της κατανομής ροής αερίου, τον έλεγχο του θερμικού πεδίου και την ομοιομορφία της ατμόσφαιρας αντίδρασης. Συνήθως κατασκευάζονται από επίστρωση SiCγραφίτης, Σχεδιασμένο σε σχήμα μισού φεγγαριού, που βρίσκεται στα επάνω και κάτω γραφίτη τμήματα του θαλάμου αντίδρασης, που περιβάλλει την περιοχή του υποστρώματος.

    •Ανώτερο τμήμα γραφίτη μισοφέγγαρου: Εγκαταστάθηκε στο επάνω μέρος του θαλάμου αντίδρασης, κοντά στην είσοδο αερίου, υπεύθυνο για την καθοδήγηση του αερίου αντίδρασης να ρέει προς την επιφάνεια του υποστρώματος.

    •Χαμηλότερο τμήμα γραφίτη μισού μισού: Βρίσκεται στο κάτω μέρος του θαλάμου αντίδρασης, συνήθως κάτω από τον συγκρατητήρα υποστρώματος, που χρησιμοποιείται για τον έλεγχο της κατεύθυνσης ροής αερίου και τη βελτιστοποίηση της διανομής θερμικού πεδίου και αερίου στο κάτω μέρος του υποστρώματος.

Κατά τη διάρκεια τουΔιαδικασία επιταξίας SIC, το άνω τμήμα γραφίτη μισοφέγγαρου βοηθά στην ομοιόμορφη κατανομή της ροής του αερίου στο υπόστρωμα, αποτρέποντας την άμεση πρόσκρουση του αερίου στην επιφάνεια του υποστρώματος και προκαλώντας τοπική υπερθέρμανση ή αναταράξεις στη ροή του αέρα. Το κατώτερο τμήμα γραφίτη του μισού φεγγαριού επιτρέπει στο αέριο να ρέει ομαλά μέσα από το υπόστρωμα και στη συνέχεια να εκκενώνεται, ενώ αποτρέπει τις αναταράξεις να επηρεάσουν την ομοιομορφία ανάπτυξης του επιταξιακού στρώματος.

Όσον αφορά τη ρύθμιση του θερμικού πεδίου, τα τμήματα γραφίτη SIC Halfmoon βοηθούν στην ομοιόμορφη διανομή της θερμότητας στο θάλαμο αντίδρασης μέσω σχήματος και θέσης. Το ανώτερο τμήμα γραφίτη Halfmoon μπορεί να αντικατοπτρίζει αποτελεσματικά την ακτινοβολούμενη θερμότητα του θερμαντήρα για να εξασφαλίσει ότι η θερμοκρασία πάνω από το υπόστρωμα είναι σταθερή. Το χαμηλότερο τμήμα του γραφίτη του κατώτερου σημείου έχει επίσης παρόμοιο ρόλο, συμβάλλοντας στην ομοιόμορφη διανομή της θερμότητας κάτω από το υπόστρωμα μέσω της αγωγιμότητας θερμότητας για να αποφευχθούν υπερβολικές διαφορές θερμοκρασίας.

Η επικάλυψη SIC καθιστά τα εξαρτήματα ανθεκτικά σε υψηλές θερμοκρασίες και θερμικά αγώγιμες, έτσι ώστε τα μέρη του Halfmoon του Vetek Semiconductor να έχουν μεγάλη διάρκεια ζωής. Σχεδιασμένα προσεκτικά, τα μέρη γραφίτη μισής φεγγαριού για επιταξία SIC μπορούν να ενσωματωθούν απρόσκοπτα σε πολλούς επιταξιακούς αντιδραστήρες, συμβάλλοντας στη βελτίωση της συνολικής αποτελεσματικότητας και της αξιοπιστίας της διαδικασίας παραγωγής ημιαγωγών. Όποια και αν είναι οι ανάγκες σας για τα Halfmoon Graphite, επικοινωνήστε με το Vetek Semiconductor.

VeteksemSIC Coating Halfmoon Graphite Parts Shops: