Μεταφορέας με επικάλυψη SIC

Η κατασκευή τσιπ είναι αδιαχώριστη από τις γκοφρέτες. Στη διαδικασία προετοιμασίας της γκοφρέτας, υπάρχουν δύο βασικοί σύνδεσμοι: ο ένας είναι η προετοιμασία του υποστρώματος και ο άλλος είναι η υλοποίηση της επιταξιακής διαδικασίας. Το υπόστρωμα μπορεί να τοποθετηθεί απευθείας στη διαδικασία κατασκευής γκοφρέτας για την παραγωγή συσκευών ημιαγωγών ή να βελτιωθεί περαιτέρω μέσω τουεπιταξιακή διαδικασία. 

Η επιταξία είναι να αναπτυχθεί ένα νέο στρώμα ενός απλού κρυστάλλου σε ένα μόνο κρύσταλλο υπόστρωμα που έχει υποβληθεί σε επεξεργασία (κοπή, λείανση, στίλβωση κλπ.). Επειδή το πρόσφατα καλλιεργημένο στρώμα κρυσταλλικού στρώματος θα επεκταθεί σύμφωνα με την κρυσταλλική φάση του υποστρώματος, ονομάζεται επιταξιακό στρώμα. Όταν το επιταξιακό στρώμα αναπτύσσεται στο υπόστρωμα, το σύνολο ονομάζεται επιταξιακό δίσκο. Η εισαγωγή της επιταξιακής τεχνολογίας επιλύει έξυπνα πολλά ελαττώματα μεμονωμένων υποστρωμάτων.

Στον επιταξιακό κλίβανο ανάπτυξης, το υπόστρωμα δεν μπορεί να τοποθετηθεί τυχαία και αμεταφορέαςαπαιτείται για την τοποθέτηση του υποστρώματος στον κάτοχο του δισκίου πριν από την επιταξιακή εναπόθεση στο υπόστρωμα. Αυτός ο κάτοχος δίσκου είναι ο φορέας πλακιδίων με επικάλυψη SIC.

Διατομεακή άποψη του αντιδραστήρα EPI

Υψηλής ποιότηταςΕπικάλυψη SiCεφαρμόζεται στην επιφάνεια του γραφίτη SGL χρησιμοποιώντας τεχνολογία CVD:

Με τη βοήθεια της επίστρωσης SIC, πολλές ιδιότητες τουΥποδοχή γκοφρέτας με επίστρωση SiCέχουν βελτιωθεί σημαντικά:

●  Αντιοξειδωτικές ιδιότητες: Η επίστρωση SiC έχει καλή αντοχή στην οξείδωση και μπορεί να προστατεύσει τη μήτρα γραφίτη από την οξείδωση σε υψηλές θερμοκρασίες και να παρατείνει τη διάρκεια ζωής της.

● Αντίσταση υψηλής θερμοκρασίας: Το σημείο τήξης της επικάλυψης SIC είναι πολύ υψηλό (περίπου 2700 ° C). Μετά την προσθήκη επικάλυψης SIC στη μήτρα γραφίτη, μπορεί να αντέξει υψηλότερες θερμοκρασίες, γεγονός που είναι επωφελής για την εφαρμογή στο περιβάλλον του κλιβάνου επιταξιακής ανάπτυξης.

● Αντίσταση διάβρωσης: Ο γραφίτης είναι επιρρεπής σε χημική διάβρωση σε ορισμένα όξινα ή αλκαλικά περιβάλλοντα, ενώ η επίστρωση SiC έχει καλή αντοχή στην όξινη και αλκαλική διάβρωση, επομένως μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε επιταξιακούς κλιβάνους ανάπτυξης για μεγάλο χρονικό διάστημα.

● Φορέστε αντίσταση: Το υλικό SiC έχει υψηλή σκληρότητα. Αφού ο γραφίτης επικαλυφθεί με SiC, δεν καταστρέφεται εύκολα όταν χρησιμοποιείται σε επιταξιακό κλίβανο ανάπτυξης, μειώνοντας τον ρυθμό φθοράς του υλικού.

Η Vetek Semiconductor χρησιμοποιεί τα καλύτερα υλικά και την πιο προηγμένη τεχνολογία επεξεργασίας για να παρέχει στους πελάτες τα κορυφαία προϊόντα μεταφορέων με επικάλυψη SIC. Η ισχυρή τεχνική ομάδα της Vetek Semiconductor είναι πάντα δεσμευμένη να προσαρμόσει τα καταλληλότερα προϊόντα και τις καλύτερες λύσεις συστήματος για τους πελάτες.

ΔΕΔΟΜΕΝΑ SEM FILM CVD SIC

Είναι ημιαγωγόςΚαταστήματα μεταφοράς γκοφρετών με επίστρωση SiC