Νέα της βιομηχανίας

Η επίστρωση CVD TAC είναι μια διαδικασία για το σχηματισμό μιας πυκνής και ανθεκτικής επίστρωσης σε ένα υπόστρωμα (γραφίτη). Αυτή η μέθοδος περιλαμβάνει την εναπόθεση TaC στην επιφάνεια του υποστρώματος σε υψηλές θερμοκρασίες, με αποτέλεσμα μια επίστρωση καρβιδίου του τανταλίου (TaC) με εξαιρετική θερμική σταθερότητα και χημική αντοχή.

Καθώς η διαδικασία καρβιδίου του πυριτίου (SiC) 8 ιντσών ωριμάζει, οι κατασκευαστές επιταχύνουν τη μετατόπιση από τις 6 ίντσες στις 8 ίντσες. Πρόσφατα, η ON Semiconductor και η Resonac ανακοίνωσαν ενημερώσεις για την παραγωγή SiC 8 ιντσών.

Αυτό το άρθρο παρουσιάζει τις τελευταίες εξελίξεις στον πρόσφατα σχεδιασμένο αντιδραστήρα CVD θερμού τοιχώματος PE1O8 της ιταλικής εταιρείας LPE και την ικανότητά του να εκτελεί ομοιόμορφη επιταξία 4H-SiC σε 200mm SiC.

Με την αυξανόμενη ζήτηση για υλικά SIC στα ηλεκτρονικά ισχύος, την οπτικοηλεκτρονική και σε άλλους τομείς, η ανάπτυξη της τεχνολογίας SIC μονής κρυστάλλων θα αποτελέσει βασικό τομέα της επιστημονικής και τεχνολογικής καινοτομίας. Ως πυρήνας του εξοπλισμού SIC ενιαίου κρυστάλλου, ο σχεδιασμός του θερμικού πεδίου θα συνεχίσει να λαμβάνει εκτεταμένη προσοχή και εμπεριστατωμένη έρευνα.

Μέσω της συνεχούς τεχνολογικής προόδου και της σε βάθος έρευνας μηχανισμού, η 3C-SIC ετεροεπιταξιακή τεχνολογία αναμένεται να διαδραματίσει πιο σημαντικό ρόλο στη βιομηχανία ημιαγωγών και να προωθήσει την ανάπτυξη ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής απόδοσης.

Χωρική ALD, χωρικά απομονωμένη εναπόθεση ατομικού στρώματος. Το δίσκο μετακινείται μεταξύ διαφορετικών θέσεων και εκτίθεται σε διαφορετικούς πρόδρομους σε κάθε θέση. Το παρακάτω σχήμα είναι μια σύγκριση μεταξύ της παραδοσιακής ALD και του χωρικά απομονωμένου ALD.