Προϊόντα
Σκόνη SiC υψηλής καθαρότητας για ανάπτυξη κρυστάλλων SiC
  • Σκόνη SiC υψηλής καθαρότητας για ανάπτυξη κρυστάλλων SiCΣκόνη SiC υψηλής καθαρότητας για ανάπτυξη κρυστάλλων SiC
  • Σκόνη SiC υψηλής καθαρότητας για ανάπτυξη κρυστάλλων SiCΣκόνη SiC υψηλής καθαρότητας για ανάπτυξη κρυστάλλων SiC

Σκόνη SiC υψηλής καθαρότητας για ανάπτυξη κρυστάλλων SiC

Το VeTek Semiconductor παρέχει κορυφαίας ποιότητας σκόνη καρβιδίου του πυριτίου (SiC) υψηλής καθαρότητας, ειδικά προσαρμοσμένης για ανάπτυξη κρυστάλλων SiC υψηλής απόδοσης (διαδικασία PVT), παραγωγή υποστρώματος ημιαγωγών και προηγμένα λειτουργικά κεραμικά. Επεξεργασμένη μέσω τεχνολογίας εξαιρετικά καθαρού καθαρισμού, η πρώτη ύλη SiC υψηλής καθαρότητας παρέχει εξαιρετικά χαμηλά επίπεδα ιχνοστοιχείων μετάλλων, αναπαραγώγιμη απόδοση εξάχνωσης και εξαιρετικά σταθερή ποιότητα από παρτίδα σε παρτίδα για την κάλυψη αυστηρών απαιτήσεων κατασκευής ημιαγωγών.

1. Βασικά χαρακτηριστικά

· Υψηλά επίπεδα καθαρότητας:Οι δυνατότητες καθαρότητας φτάνουν έως και 99,9999% (βαθμός 6N).

· Εξαιρετικά χαμηλές μεταλλικές ακαθαρσίες:Ελαχιστοποιημένη ιχνοστοιχεία μετάλλων βελτιστοποιημένη για την ανάπτυξη κρυστάλλων SiC.

· Πλήρης διαφάνεια:Πλήρη δεδομένα δοκιμών GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometry) διαθέσιμα για κάθε παρτίδα.

· Σταθερή θερμική απόδοση:Εξαιρετικά προβλέψιμη και ομοιόμορφη συμπεριφορά εξάχνωσης κατά τη διάρκεια των εργασιών ανάπτυξης PVT.

· Ελεγχόμενη κατανομή μεγέθους σωματιδίων:Η κοκκομετρία παρακολουθείται προσεκτικά για να διατηρείται σταθερή η πυκνότητα συσκευασίας.

· Προσαρμοσμένες συνθέσεις:Προσαρμοσμένα μεγέθη σωματιδίων και καμπύλες κατανομής διαθέσιμα κατόπιν αιτήματος.

· Πρότυπο ποιότητας ημιαγωγών:Αυστηρά κατασκευασμένο με συστήματα διαχείρισης ποιότητας ημιαγωγών.

       


2. Οπτικά προϊόντα


3. Τεχνικές Προδιαγραφές

Ιδιοκτησία
Τυπική τιμή
Υλικό
Καρβίδιο του πυριτίου (SiC)
Καθαρότητα
99,99% – 99,9999%
Βαθμός καθαρότητας
4N – 6N+
Κρυσταλλική Δομή
α-SiC
Μέγεθος Σωματιδίων
Προσαρμόσιμο (π.χ. από μικρο σε χοντρό πλέγμα)
Ανάλυση ακαθαρσιών
Παρέχεται πλήρης αναφορά GDMS

4. Εφαρμογές

· Ανάπτυξη κρυστάλλων PVT SiC:Αγώγιμα & Ημιμονωτικά πλινθώματα SiC.

· Υποστρώματα ημιαγωγών:Υπόστρωμα γκοφρέτας & επιταξιακή πρώτη ύλη επεξεργασίας.

· Θερμικά εξαρτήματα υψηλής ποιότητας:Προηγμένα κεραμικά εξαρτήματα και επιστρώσεις υποδοχέων.

· Εφαρμογές Ε&Α:Έρευνα ηλεκτρονικών ισχύος επόμενης γενιάς και συσκευές υψηλής συχνότητας.


5. Γιατί να επιλέξετε το VeTek Semiconductor;

· Ιδιόκτητος καθαρισμός:Προηγμένες τεχνικές καθαρισμού που παρέχουν καθαρότητα έως και 6Ν για ανάπτυξη μονοκρυστάλλου.

· Αυστηρός ποιοτικός έλεγχος:Εξειδικευμένη διασφάλιση ποιότητας με αυστηρό έλεγχο μόλυνσης ποιότητας ημιαγωγών.

· Ευελιξία προσαρμογής:Ευέλικτο προσαρμοσμένο μέγεθος σωματιδίων για προσαρμογή σε διαφορετικές προδιαγραφές χωνευτηρίου κλιβάνου PVT.

· Σταθερή Εφοδιαστική Αλυσίδα:Αξιόπιστη ικανότητα ανεφοδιασμού που εγγυάται σταθερή μακροπρόθεσμη παράδοση μαζικής παραγωγής.

· Τεχνική εμπειρογνωμοσύνη:Πλήρης τεχνική υποστήριξη προσαρμοσμένη στις συγκεκριμένες διαδικασίες ανάπτυξης κρυστάλλων.


Hot Tags: SiC Crystal Growth, High Purity SiC Powder, SiC Crystal Growth Powder, PVT SiC Crystal Growth, Semiconductor SiC Powder, 6N High Purity SiC Powder, High Purity Carbide Silicon, VeTek Semiconductor
Αποστολή Ερώτησης
Πληροφορίες επαφής
  • Διεύθυνση

    Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, επαρχία Zhejiang, Κίνα

  • ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Χρησιμοποιούμε cookies για να σας προσφέρουμε καλύτερη εμπειρία περιήγησης, να αναλύσουμε την επισκεψιμότητα του ιστότοπου και να εξατομικεύσουμε το περιεχόμενο. Χρησιμοποιώντας αυτόν τον ιστότοπο, συμφωνείτε με τη χρήση των cookies από εμάς. Πολιτική Απορρήτου
ΑπορρίπτωΑποδέχομαι