7Ν πρώτη ύλη CVD SiC υψηλής καθαρότητας

1. Βασικοί Παράγοντες Απόδοσης

• Καθαρότητα βαθμού 7Ν: Διατηρούμε σταθερή καθαρότητα 99,99999% (7Ν), διατηρώντας τις μεταλλικές ακαθαρσίες σε επίπεδα ppb. Αυτό είναι απαραίτητο για την ανάπτυξη ημιμονωτικών κρυστάλλων υψηλής αντίστασης (HPSI) και για τη διασφάλιση μηδενικής μόλυνσης σε εφαρμογές ισχύος ή ραδιοσυχνοτήτων.
• Δομική σταθερότητα έναντι C-Dust: Σε αντίθεση με τις παραδοσιακές σκόνες που τείνουν να καταρρέουν ή να απελευθερώνουν λεπτά κατά την εξάχνωση, ο όγκος CVD με μεγάλους κόκκους παραμένει δομικά σταθερός. Αυτό αποτρέπει τη μετανάστευση της σκόνης άνθρακα (C-dust) στη ζώνη ανάπτυξης - την κύρια αιτία εγκλεισμάτων κρυστάλλων και ελαττωμάτων μικροσωλήνων.
• Βελτιστοποιημένη Κινητική Ανάπτυξης: Σχεδιασμένη για κατασκευή βιομηχανικής κλίμακας, αυτή η πηγή υποστηρίζει ρυθμούς ανάπτυξης έως και 1,46 mm/h. Αυτό αντιπροσωπεύει μια βελτίωση 2x έως 3x σε σχέση με τα 0,3–0,8 mm/h που επιτυγχάνεται συνήθως με τις συμβατικές μεθόδους που βασίζονται σε σκόνη.
• Διαχείριση θερμικής κλίσης: Η υψηλή χύδην πυκνότητα και η συγκεκριμένη γεωμετρία των μπλοκ μας δημιουργούν μια πιο επιθετική διαβάθμιση θερμοκρασίας εντός του χωνευτηρίου. Αυτό προάγει την ισορροπημένη απελευθέρωση ατμών πυριτίου και άνθρακα, μετριάζοντας τις διακυμάνσεις "πρώιμα πλούσιο σε Si/όψιμο πλούσιο σε C" που μαστίζουν τις τυπικές διεργασίες.
• Βελτιστοποίηση φόρτωσης χωνευτηρίου: Το υλικό μας επιτρέπει 2kg+ αύξηση στην ικανότητα φόρτωσης για χωνευτήρια 8 ιντσών σε σύγκριση με τις μεθόδους σκόνης. Αυτό επιτρέπει την ανάπτυξη μακρύτερων πλινθωμάτων ανά κύκλο, βελτιώνοντας άμεσα το ποσοστό απόδοσης μετά την παραγωγή στο 100%.

1. Τεχνικές προδιαγραφές

Σύγκριση: Παραδοσιακή πούδρα έναντι VETEK CVD Bulk