Προϊόντα
CVD SiC επικαλυμμένο γραφίτη Susceptor για Wafer Carrier
  • CVD SiC επικαλυμμένο γραφίτη Susceptor για Wafer CarrierCVD SiC επικαλυμμένο γραφίτη Susceptor για Wafer Carrier

CVD SiC επικαλυμμένο γραφίτη Susceptor για Wafer Carrier

Το VETEK CVD SiC Coated Graphite Susceptor for Wafer Carrier είναι ένα εξάρτημα στήριξης γκοφρέτας υψηλής απόδοσης σχεδιασμένο για διεργασίες επιταξίας ημιαγωγών. Το προϊόν χρησιμοποιεί γραφίτη υψηλής καθαρότητας ως υπόστρωμα και είναι επικαλυμμένο με ομοιόμορφο στρώμα καρβιδίου του πυριτίου CVD (SiC), παρέχοντας εξαιρετική θερμική σταθερότητα, χημική αντοχή και έλεγχο σωματιδίων. Ως κρίσιμο συστατικό υποδοχέα γραφίτη, υποστηρίζει άμεσα τις γκοφρέτες μέσα στο θάλαμο αντίδρασης και βοηθά στη διατήρηση της ομοιόμορφης κατανομής θερμοκρασίας και των σταθερών επιταξιακών συνθηκών ανάπτυξης.

1. Πλεονεκτήματα προϊόντος


  • Υλικό υψηλής καθαρότητας:Το υλικό γραφίτη ποιότητας ημιαγωγού και η πυκνή δομή επίστρωσης SiC ελαχιστοποιούν τους κινδύνους μόλυνσης και βελτιώνουν την αξιοπιστία του επικαλυμμένου με CVD SiC επιδέσμου γραφίτη.
  • Άριστη θερμική ομοιομορφία:Η βελτιστοποιημένη δομή γραφίτη και η επίστρωση SiC παρέχουν σταθερή μεταφορά θερμότητας και ομοιόμορφο έλεγχο θερμοκρασίας πλακιδίων.
  • Ανώτερη χημική αντοχή:Η πυκνή επίστρωση SiC προσφέρει ισχυρή αντοχή στα αέρια διεργασίας και στα διαβρωτικά περιβάλλοντα.
  • Μεγάλη διάρκεια ζωής:Η υψηλή σκληρότητα και η αντοχή στη φθορά βελτιώνουν την αντοχή σε συνθήκες επιτάξεως υψηλής θερμοκρασίας.
  • Χαμηλή παραγωγή σωματιδίων:Η πυκνή επιφάνεια CVD SiC μειώνει την απελευθέρωση σωματιδίων και βελτιώνει την αξιοπιστία της διεργασίας πλακιδίων.
  • Προσαρμοσμένη ικανότητα σχεδίασης:Διατίθεται σε διαφορετικά μεγέθη, δομές και διαμορφώσεις σύμφωνα με τις απαιτήσεις εξοπλισμού.



2. Τεχνικές Προδιαγραφές

Είδος
Τυπική τιμή
Υλικό Υποστρώματος
Γραφίτης υψηλής καθαρότητας
Υλικό επίστρωσης
Καρβίδιο του πυριτίου CVD (SiC)
Καθαρότητα SiC
≥99,999%
Πάχος επίστρωσης
100 ± 20 μm (προσαρμόσιμο)
Ομοιομορφία πάχους επίστρωσης
Ελέγχεται εντός 10 μm μεταξύ των παρτίδων
Πυκνότητα επικάλυψης CVD SiC
3,21 g/cm³
Θερμική αγωγιμότητα
300 W/m·K
Συντελεστής Θερμικής Διαστολής
4,5 × 10-6/K

3. Εφαρμογές


  • Διαδικασία Επιτάξεως SiC:Ο υποδοχέας γραφίτη χρησιμοποιείται ως φορέας γκοφρέτας σε εξοπλισμό επιτάξεως SiC, υποστηρίζοντας υποστρώματα SiC κατά την επιταξιακή ανάπτυξη σε υψηλή θερμοκρασία.
  • Διαδικασία επιτάξεως πυριτίου:Εφαρμόζεται σε επιταξιακούς αντιδραστήρες πυριτίου για υποστήριξη πλακών και διατήρηση σταθερών θερμικών συνθηκών.
  • MOCVD Epitaxy:Οι υποδοχείς γραφίτη VETEK είναι κατάλληλοι για MOCVD, επιταξία LED, επιταξία GaN, επιταξία πυριτίου και άλλες διαδικασίες παραγωγής ημιαγωγών που απαιτούν εξαιρετική θερμική ομοιομορφία και χημική σταθερότητα.
  • Εξοπλισμός κατασκευής ημιαγωγών:Συμβατό με διάφορες πλατφόρμες επιταξίας, συμπεριλαμβανομένων οριζόντιων κλιβάνων LPE, Aixtron, NuFlare και σχετικού εξοπλισμού ημιαγωγών.



4. Γιατί να επιλέξετε το VETEK;

Η VETEK παρέχει εξατομικευμένες λύσεις υποδοχέα γραφίτη με επικάλυψη CVD SiC που ενσωματώνουν καθαρισμό γραφίτη, μηχανική κατεργασία ακριβείας, επίστρωση CVD και δυνατότητες επιθεώρησης. Τα προϊόντα υποδοχέα γραφίτη ποιότητας ημιαγωγών διαθέτουν υψηλή καθαρότητα, ομοιόμορφο πάχος επίστρωσης, εξαιρετική θερμική απόδοση και μεγάλη διάρκεια ζωής για απαιτητικές εφαρμογές μεταφοράς γκοφρέτας.

Hot Tags: CVD SiC επικαλυμμένο γραφίτη Susceptor, Graphite Susceptor, SiC Coated Graphite Carrier, Semiconductor Epitaxy Susceptor, MOCVD Graphite Susceptor, SiC Wafer Carrier, CVD SiC Graphite Susceptor
Αποστολή Ερώτησης
Πληροφορίες επαφής
  • Διεύθυνση

    Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, επαρχία Zhejiang, Κίνα

  • ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ

    anny@veteksemi.com

For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Χρησιμοποιούμε cookies για να σας προσφέρουμε καλύτερη εμπειρία περιήγησης, να αναλύσουμε την επισκεψιμότητα του ιστότοπου και να εξατομικεύσουμε το περιεχόμενο. Χρησιμοποιώντας αυτόν τον ιστότοπο, συμφωνείτε με τη χρήση των cookies από εμάς. Πολιτική Απορρήτου
ΑπορρίπτωΑποδέχομαι