SiC Cantilever Paddle

Είστε ευπρόσδεκτοι να έρθετε στο εργοστάσιό μας Vetek Semiconductor για να αγοράσετε το πιο πρόσφατο κουπί SiC Cantilever σε πωλήσεις, χαμηλή τιμή και υψηλής ποιότητας. Ανυπομονούμε να συνεργαστούμε μαζί σας.

Χαρακτηριστικά Paddle SiC Cantilever του VeTek Semiconductor:

Σταθερότητα υψηλής θερμοκρασίας: ικανή να διατηρήσει το σχήμα και τη δομή του σε υψηλές θερμοκρασίες, κατάλληλη για διαδικασίες επεξεργασίας υψηλής θερμοκρασίας.

Αντίσταση διάβρωσης: Εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση σε μια ποικιλία χημικών ουσιών και αερίων.

Υψηλή αντοχή και ακαμψία: Παρέχει αξιόπιστη υποστήριξη για την αποφυγή παραμόρφωσης και ζημιάς.

Πλεονεκτήματα του Paddle του Semiconductor του Vetek Semiconductor:

Υψηλή ακρίβεια: Η υψηλή ακρίβεια επεξεργασίας εξασφαλίζει σταθερή λειτουργία σε αυτοματοποιημένο εξοπλισμό.

Χαμηλή μόλυνση: Υλικό SiC υψηλής καθαρότητας μειώνει τον κίνδυνο μόλυνσης, ο οποίος είναι ιδιαίτερα σημαντικός για εξαιρετικά καθαρά περιβάλλοντα παραγωγής.

Υψηλές μηχανικές ιδιότητες: Ικανό να αντέχει σε σκληρά περιβάλλοντα εργασίας με υψηλές θερμοκρασίες και υψηλές πιέσεις.

Ειδικές εφαρμογές του Paddle SIC και της αρχής της εφαρμογής του

Χειρισμός γκοφρέτας πυριτίου στην κατασκευή ημιαγωγών:

Το Paddle SIC χρησιμοποιείται κυρίως για να χειριστεί και να υποστηρίξει πλακίδια πυριτίου κατά τη διάρκεια της παραγωγής ημιαγωγών. Αυτές οι διαδικασίες περιλαμβάνουν συνήθως καθαρισμό, χάραξη, επικάλυψη και θερμική επεξεργασία. Αρχή εφαρμογής:

Χειρισμός πλακιδίων πυριτίου: Το κουπί SIC προβλέψεων έχει σχεδιαστεί για να σφίγγει με ασφάλεια και να μετακινεί πλακίδια πυριτίου. Κατά τη διάρκεια των διαδικασιών υψηλής θερμοκρασίας και χημικής επεξεργασίας, η υψηλή σκληρότητα και η αντοχή του υλικού SIC εξασφαλίζουν ότι το δισκίο του πυριτίου δεν θα καταστραφεί ή παραμορφωθεί.

Διαδικασία χημικής εναπόθεσης ατμών (CVD):

Στη διαδικασία CVD, το SiC Cantilever Paddle χρησιμοποιείται για τη μεταφορά πλακών πυριτίου έτσι ώστε να μπορούν να εναποτίθενται λεπτές μεμβράνες στις επιφάνειές τους. Αρχή εφαρμογής:

Στη διαδικασία CVD, το πτερύγιο SIC προβλήματος χρησιμοποιείται για να διορθώσει το δίσκο πυριτίου στο θάλαμο αντίδρασης και ο αέρος πρόδρομος αποσυντίθεται σε υψηλή θερμοκρασία και σχηματίζει ένα λεπτό μεμβράνη στην επιφάνεια του δισκίου πυριτίου. Η χημική αντοχή στη διάβρωση του υλικού SIC εξασφαλίζει σταθερή λειτουργία υπό υψηλή θερμοκρασία και χημικό περιβάλλον.

Παράμετρος προϊόντος του κουπιού SIC

Καταστήματα παραγωγής:

Επισκόπηση της αλυσίδας βιομηχανίας επιταξίας τσιπ ημιαγωγών: