Νέα

Σε μια εποχή ραγδαίας τεχνολογικής ανάπτυξης, η τρισδιάστατη εκτύπωση, ως σημαντικός εκπρόσωπος της προηγμένης τεχνολογίας κατασκευής, αλλάζει σταδιακά το πρόσωπο της παραδοσιακής κατασκευής. Με τη συνεχή ωριμότητα της τεχνολογίας και τη μείωση του κόστους, η τεχνολογία 3D εκτύπωσης έχει δείξει ευρείες προοπτικές εφαρμογής σε πολλούς τομείς όπως η αεροδιαστημική, η αυτοκινητοβιομηχανία, ο ιατρικός εξοπλισμός και ο αρχιτεκτονικός σχεδιασμός, και έχει προωθήσει την καινοτομία και την ανάπτυξη αυτών των βιομηχανιών.

Μόνο τα μεμονωμένα κρυστάλλινα υλικά δεν μπορούν να καλύψουν τις ανάγκες της αυξανόμενης παραγωγής διαφόρων συσκευών ημιαγωγών. Στα τέλη του 1959, αναπτύχθηκε ένα λεπτό στρώμα τεχνολογίας ανάπτυξης ενός κρυστάλλου - επιταξονική ανάπτυξη.

Το καρβίδιο του πυριτίου είναι ένα από τα ιδανικά υλικά για την κατασκευή συσκευών υψηλής θερμοκρασίας, υψηλής συχνότητας, υψηλής ισχύος και υψηλής τάσης. Προκειμένου να βελτιωθεί η αποτελεσματικότητα της παραγωγής και να μειωθεί το κόστος, η προετοιμασία υποστρωμάτων καρβιδίου μεγάλου μεγέθους είναι μια σημαντική κατεύθυνση ανάπτυξης.

Σύμφωνα με ξένες ειδήσεις, δύο πηγές αποκάλυψαν στις 24 Ιουνίου ότι η ByteDance συνεργάζεται με την αμερικανική εταιρεία σχεδιασμού τσιπ Broadcom για την ανάπτυξη ενός προηγμένου υπολογιστικού επεξεργαστή τεχνητής νοημοσύνης (AI), ο οποίος θα βοηθήσει την ByteDance να εξασφαλίσει επαρκή προμήθεια τσιπ υψηλής ποιότητας εν μέσω εντάσεων μεταξύ της Κίνας. και των Ηνωμένων Πολιτειών.

Ως κορυφαίος κατασκευαστής στη βιομηχανία SiC, η σχετική δυναμική της Sanan Optoelectronics έχει λάβει ευρεία προσοχή στη βιομηχανία. Πρόσφατα, η Sanan Optoelectronics αποκάλυψε μια σειρά από τελευταίες εξελίξεις, που περιλαμβάνουν μετασχηματισμό 8 ιντσών, παραγωγή νέου εργοστασίου υποστρώματος, ίδρυση νέων εταιρειών, κρατικές επιδοτήσεις και άλλες πτυχές.

Στην ανάπτυξη μονοκρυστάλλων SiC και AlN με τη χρήση της μεθόδου φυσικής μεταφοράς ατμών (PVT), κρίσιμα συστατικά όπως το χωνευτήριο, η θήκη σπόρων και ο δακτύλιος οδηγός παίζουν ζωτικό ρόλο. Όπως απεικονίζεται στο Σχήμα 2 [1], κατά τη διάρκεια της διαδικασίας PVT, ο κρύσταλλος των σπόρων τοποθετείται στην περιοχή χαμηλότερης θερμοκρασίας, ενώ η πρώτη ύλη SiC εκτίθεται σε υψηλότερες θερμοκρασίες (πάνω από 2400 ℃).