Οδηγός τριών πετρικών οδηγών επικαλυμμένου με CVD TAC

Το υλικό ενός κρυσταλλικού υποστρώματος καρβιδίου πυριτίου είναι ένα είδος κρυσταλλικού υλικού, το οποίο ανήκει σε ευρύ υλικό ημιαγωγού Bandgap. Έχει τα πλεονεκτήματα της αντοχής υψηλής τάσης, της αντοχής υψηλής θερμοκρασίας, της υψηλής συχνότητας, της χαμηλής απώλειας κλπ. Είναι ένα βασικό υλικό για την παρασκευή ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής ισχύος και συσκευών ραδιοσυχνότητας μικροκυμάτων. Επί του παρόντος, οι κύριες μέθοδοι για την καλλιέργεια κρυστάλλων SIC είναι η μεταφορά φυσικής ατμών (μέθοδος PVT), η εναπόθεση χημικών ατμών υψηλής θερμοκρασίας (μέθοδος HTCVD), η μέθοδος υγρής φάσης κ.λπ.

Η μέθοδος φυσικής μεταφοράς ατμών (PVT) είναι μια καλά - καθιερωμένη τεχνική εξαιρετικά κατάλληλη για τη βιομηχανική παραγωγή μεγάλης κλίμακας. Σε αυτή τη διαδικασία, ένας κρύσταλλος σπόρου SIC τοποθετείται στην κορυφή του χωνευτηρίου, ενώ η σκόνη SIC, που χρησιμεύει ως πρώτη ύλη, τοποθετείται στον πυθμένα Crucible. Υπό τις συνθήκες υψηλής θερμοκρασίας και χαμηλής πίεσης μέσα σε ένα κλειστό περιβάλλον, η σκόνη SIC εξομοιώνει. Οδηγούμενη από τη διαφορά θερμοκρασίας και τη διαφορά συγκέντρωσης, τα εξαγνισμένα είδη κινούνται προς τα πάνω προς την περιοχή κοντά στον κρύσταλλο σπόρου. Μόλις φτάσετε σε υπερκορεσμένη κατάσταση, εμφανίζεται η ανακρυστάλλωση, επιτρέποντας τον ακριβή έλεγχο του μεγέθους και του συγκεκριμένου τύπου κρυσταλλικού τύπου των καλλιεργούμενων κρυστάλλων.

Το CVD TAC επικαλύπτεται τρεις - δακτύλιο καθοδήγησης Petal σερβίρει πολλαπλές κρίσιμες λειτουργίες. Κατά κύριο λόγο, ενισχύει τη μηχανική των υγρών, καθοδηγώντας τη ροή του αερίου, εξασφαλίζοντας ότι η περιοχή ανάπτυξης κρυστάλλων εκτίθεται σε ομοιόμορφη ατμόσφαιρα. Επιπλέον, διαλύει αποτελεσματικά τη θερμότητα κατά τη διάρκεια της διαδικασίας ανάπτυξης κρυστάλλων SIC. Διατηρώντας την κατάλληλη κλίση θερμοκρασίας, βελτιστοποιεί τις συνθήκες ανάπτυξης για κρυστάλλους SIC και μετριάζει τον κίνδυνο κρυσταλλικών ελαττωμάτων που προκαλούνται από την ανομοιόμορφη κατανομή θερμοκρασίας.