Νέα

Νέα

Είμαστε στην ευχάριστη θέση να μοιραστούμε μαζί σας τα αποτελέσματα της δουλειάς μας, τα νέα της εταιρείας και να σας παρέχουμε έγκαιρες εξελίξεις και τις συνθήκες διορισμού και απομάκρυνσης προσωπικού.
Γκοφρέτα υποστρώματος ημιαγωγών: Ιδιότητες υλικού πυριτίου, GaAs, SiC και GaN28 2024-08

Γκοφρέτα υποστρώματος ημιαγωγών: Ιδιότητες υλικού πυριτίου, GaAs, SiC και GaN

Το άρθρο αναλύει τις ιδιότητες του υλικού των πλακών υποστρώματος ημιαγωγών όπως το πυρίτιο, το GaAs, το SiC και το GaN
Τεχνολογία επιταξίας χαμηλής θερμοκρασίας με βάση το GAN27 2024-08

Τεχνολογία επιταξίας χαμηλής θερμοκρασίας με βάση το GAN

Αυτό το άρθρο περιγράφει κυρίως την επιταξιακή τεχνολογία χαμηλής θερμοκρασίας με βάση το GAN, συμπεριλαμβανομένης της κρυσταλλικής δομής των υλικών που βασίζονται σε GAN, των απαιτήσεων επιταξιακής τεχνολογίας και των λύσεων υλοποίησης, των προοπτικών της επιταξιακής τεχνολογίας χαμηλής θερμοκρασίας με βάση τις αρχές PVD και τις αναπτυξιακές προοπτικές της επιταξιακής τεχνολογίας.
Ποια είναι η διαφορά μεταξύ CVD TAC και Sintered TAC;26 2024-08

Ποια είναι η διαφορά μεταξύ CVD TAC και Sintered TAC;

Αυτό το άρθρο εισάγει πρώτα τη μοριακή δομή και τις φυσικές ιδιότητες του TAC και επικεντρώνεται στις διαφορές και τις εφαρμογές του καρβιδίου του Sintered Tantalum και του καρβιδίου Tantalum, καθώς και των δημοφιλών προϊόντων TAC της Vetek Semiconductor.
X
Χρησιμοποιούμε cookies για να σας προσφέρουμε καλύτερη εμπειρία περιήγησης, να αναλύσουμε την επισκεψιμότητα του ιστότοπου και να εξατομικεύσουμε το περιεχόμενο. Χρησιμοποιώντας αυτόν τον ιστότοπο, συμφωνείτε με τη χρήση των cookies από εμάς.Πολιτική Απορρήτου
ΑπορρίπτωΑποδέχομαι