Νέα

Η επίστρωση κενού περιλαμβάνει εξάτμιση υλικού φιλμ, μεταφορά κενού και ανάπτυξη λεπτών φιλμ. Σύμφωνα με τις διαφορετικές μεθόδους εξάτμισης υλικού μεμβράνης και τις διαδικασίες μεταφοράς, η επίστρωση κενού μπορούν να χωριστούν σε δύο κατηγορίες: PVD και CVD.

Αυτό το άρθρο περιγράφει τις φυσικές παραμέτρους και τα χαρακτηριστικά προϊόντος του πορώδους γραφίτη της VeTek Semiconductor, καθώς και τις συγκεκριμένες εφαρμογές του στην επεξεργασία ημιαγωγών.

Αυτό το άρθρο αναλύει τα χαρακτηριστικά του προϊόντος και τα σενάρια εφαρμογής της επίστρωσης καρβιδίου Tantalum και της επίστρωσης καρβιδίου πυριτίου από πολλαπλές οπτικές γωνίες.

Η εναπόθεση λεπτού φιλμ είναι ζωτικής σημασίας στην κατασκευή τσιπ, δημιουργώντας μικρο -συσκευές εναπόθεσης ταινιών κάτω από 1 micron πάχους μέσω CVD, ALD ή PVD. Αυτές οι διαδικασίες δημιουργούν εξαρτήματα ημιαγωγών μέσω εναλλασσόμενων αγώγιμων και μονωτικών ταινιών.

Η διαδικασία κατασκευής ημιαγωγών περιλαμβάνει οκτώ βήματα: επεξεργασία πλακιδίων, οξείδωση, λιθογραφία, χάραξη, εναπόθεση λεπτού φιλμ, διασύνδεση, δοκιμές και συσκευασία. Το πυρίτιο από άμμο επεξεργάζεται σε γκοφρέτες, οξειδωμένες, μοτίβες και χαραγμένες για κυκλώματα υψηλής ακρίβειας.

Αυτό το άρθρο περιγράφει ότι το υπόστρωμα LED είναι η μεγαλύτερη εφαρμογή του ζαφείρι, καθώς και οι κύριες μεθόδους παρασκευής κρυστάλλων ζαφείρι: αναπτυσσόμενοι κρύσταλλοι ζαφείρι με τη μέθοδο Czochralski, αυξανόμενους κρυστάλλους ζαφείρι με τη μέθοδο του Κιρόπουλου, καλλιέργειας κρυστάλλων ζαφείρι με τη μέθοδο καθοδηγούμενης μούχλα και αναπτυσσόμενους κρυστάλλους ζαφείρι με τη μέθοδο ανταλλαγής θερμότητας.

Το άρθρο εξηγεί την κλίση της θερμοκρασίας σε έναν κλίβανο ενός κρυστάλλου. Καλύπτει τα στατικά και δυναμικά πεδία θερμότητας κατά την ανάπτυξη των κρυστάλλων, τη διεπαφή στερεού-υγρού και τον ρόλο της θερμοκρασίας στη στερεοποίηση.

Η διαδικασία Taiko thins Silicon Gafers χρησιμοποιώντας τις αρχές, τα τεχνικά πλεονεκτήματα και την προέλευση της διαδικασίας.

Έρευνα SIC SIC SIC και Homoepitaxial Process Research

Το άρθρο αναλύει τις ιδιότητες του υλικού των πλακών υποστρώματος ημιαγωγών όπως το πυρίτιο, το GaAs, το SiC και το GaN

Αυτό το άρθρο περιγράφει κυρίως την επιταξιακή τεχνολογία χαμηλής θερμοκρασίας με βάση το GAN, συμπεριλαμβανομένης της κρυσταλλικής δομής των υλικών που βασίζονται σε GAN, των απαιτήσεων επιταξιακής τεχνολογίας και των λύσεων υλοποίησης, των προοπτικών της επιταξιακής τεχνολογίας χαμηλής θερμοκρασίας με βάση τις αρχές PVD και τις αναπτυξιακές προοπτικές της επιταξιακής τεχνολογίας.

Αυτό το άρθρο εισάγει πρώτα τη μοριακή δομή και τις φυσικές ιδιότητες του TAC και επικεντρώνεται στις διαφορές και τις εφαρμογές του καρβιδίου του Sintered Tantalum και του καρβιδίου Tantalum, καθώς και των δημοφιλών προϊόντων TAC της Vetek Semiconductor.

Αυτό το άρθρο εισάγει τα χαρακτηριστικά του προϊόντος της επικάλυψης CVD TAC, τη διαδικασία παρασκευής επικάλυψης CVD TAC χρησιμοποιώντας τη μέθοδο CVD και τη βασική μέθοδο για την ανίχνευση της επιφανειακής μορφολογίας της προετοιμασμένης επικάλυψης CVD TAC.

Αυτό το άρθρο παρουσιάζει τα χαρακτηριστικά του προϊόντος της επίστρωσης TaC, τη συγκεκριμένη διαδικασία παρασκευής προϊόντων επίστρωσης TaC με χρήση τεχνολογίας CVD, εισάγει την πιο δημοφιλή επίστρωση TaC της Veteksemicon και αναλύει εν συντομία τους λόγους επιλογής του Veteksemicon.

Αυτό το άρθρο αναλύει τους λόγους για τους οποίους η SIC επικαλύπτει ένα βασικό υλικό πυρήνα για την επιταξιακή ανάπτυξη και επικεντρώνεται στα συγκεκριμένα πλεονεκτήματα της επίστρωσης SIC στη βιομηχανία ημιαγωγών.

Τα νανοϋλικά καρβιδίου πυριτίου (SIC) είναι υλικά με τουλάχιστον μία διάσταση στην κλίμακα νανομέτρου (1-100Nm). Αυτά τα υλικά μπορούν να είναι μηδενικά, ένα, δύο ή τρισδιάστατα και έχουν διαφορετικές εφαρμογές.