Επικαλυμμένο με CVD TaC Susceptor

Ορισμός και σύνθεση προϊόντος

Το VETEK CVD TaC Coated Susceptor είναι ένα εξάρτημα φορέα γκοφρέτας υψηλής ποιότητας που χρησιμοποιείται ειδικά για την επιταξιακή επεξεργασία ημιαγωγών τρίτης γενιάς (SiC, GaN, AlN). Αυτό το προϊόν συνδυάζει τα φυσικά πλεονεκτήματα δύο υλικών υψηλής απόδοσης:

Υπόστρωμα γραφίτη υψηλής καθαρότητας: Χρησιμοποιεί μια διαδικασία χύτευσης με ισοστατική συμπίεση για να διασφαλίσει ότι το υπόστρωμα διαθέτει ανώτερη δομική αντοχή, υψηλή πυκνότητα και σταθερότητα θερμικής επεξεργασίας.

Επικάλυψη CVD TaC: Ένα πυκνό προστατευτικό στρώμα από καρβίδιο του τανταλίου (TaC) αναπτύσσεται στην επιφάνεια του γραφίτη μέσω της προηγμένης τεχνολογίας Chemical Vapor Deposition (CVD).

Βασικά τεχνικά πλεονεκτήματα: Εξαιρετική ακραία προσαρμοστικότητα περιβάλλοντος

Στη διαδικασία MOCVD, η επίστρωση TaC δεν είναι μόνο ένα φυσικό προστατευτικό στρώμα αλλά και ο πυρήνας για τη διασφάλιση της επαναληψιμότητας της διαδικασίας:

Ανοχή σε ακραίες υψηλές θερμοκρασίες: Το TaC έχει σημείο τήξης έως και 3880°C, διατηρώντας εξαιρετική σταθερότητα σχήματος ακόμη και σε επιταξιακές διεργασίες εξαιρετικά υψηλής θερμοκρασίας πάνω από 1600°C.

Εξαιρετική αντοχή στη διάβρωση: Σε ισχυρά αναγωγικά περιβάλλοντα που περιέχουν NH3(Αμμωνία) ή H2(Υδρογόνο), ο ρυθμός διάβρωσης του TaC είναι εξαιρετικά χαμηλός, αποτρέποντας αποτελεσματικά την απώλεια υποστρώματος και την καθίζηση ακαθαρσιών.

Εγγύηση εξαιρετικά υψηλής καθαρότητας: Η καθαρότητα της επίστρωσης είναι τόσο υψηλή όσο 99,9995%. Η πυκνή του δομή σφραγίζει πλήρως τους μικροπόρους γραφίτη, διασφαλίζοντας ότι η επιταξιακή μεμβράνη φτάνει σε εξαιρετικά χαμηλά επίπεδα ακαθαρσίας.

Ακριβής Διανομή Θερμικού Πεδίου: Η βελτιστοποιημένη τεχνολογία ελέγχου επίστρωσης της VETEK διασφαλίζει ότι η διαφορά θερμοκρασίας της επιφάνειας του υποδοχέα ελέγχεται εντός ±2°C, βελτιώνοντας σημαντικά το πάχος και τη συνοχή του μήκους κύματος της επιταξιακής στρώσης του πλακιδίου.

Τεχνικές Παράμετροι

Επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) σε μικροσκοπική διατομή:

Βασικά πεδία εφαρμογής

SiC (καρβίδιο πυριτίου) επιταξιακή ανάπτυξη: Υποστηρίζει την παραγωγή συσκευών ισχύος SiC 6 ιντσών, 8 ιντσών και μεγαλύτερου μεγέθους.

Συσκευές με βάση το GaN (νιτρίδιο γαλλίου).: Χρησιμοποιείται σε διαδικασίες MOCVD για LED υψηλής φωτεινότητας, συσκευές τροφοδοσίας HEMT και τσιπ RF.

AlN (Νιτρίδιο Αλουμινίου) και UVC Growth: Παρέχει λύσεις μεταφοράς ακραίων υψηλών θερμοκρασιών (1400°C+) για υλικά εξαιρετικά ευρείας ζώνης, όπως Deep UV LED.

Εξατομικευμένη υποστήριξη έρευνας: Προσαρμόζεται στις ανάγκες προσαρμογής ακριβείας των ερευνητικών ινστιτούτων για διάφορα ακανόνιστα εξαρτήματα και δίσκους πολλαπλών οπών.

Συμβατά μοντέλα και υπηρεσίες προσαρμογής

Το VETEK διαθέτει ακριβείς δυνατότητες μηχανικής επεξεργασίας και επίστρωσης, που προσαρμόζεται τέλεια στον παγκόσμιο βασικό εξοπλισμό MOCVD:

AIXTRON: Υποστηρίζει διάφορους δίσκους και βάσεις πλανητικής περιστροφής.

Veeco: Υποστηρίζει K465i, Propel και άλλες σειρές κάθετων υποδοχέων.

AMEC και άλλοι: Παρέχει πλήρως συμβατά ανταλλακτικά ή λύσεις αναβάθμισης.