Προϊόντα
Πορώδης γραφίτης με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) για ανάπτυξη κρυστάλλων SiC
  • Πορώδης γραφίτης με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) για ανάπτυξη κρυστάλλων SiCΠορώδης γραφίτης με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) για ανάπτυξη κρυστάλλων SiC

Πορώδης γραφίτης με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) για ανάπτυξη κρυστάλλων SiC

Η VeTek Semiconductor Tantalum Carbide Coated Porous Graphite είναι η τελευταία καινοτομία στην τεχνολογία ανάπτυξης κρυστάλλων με καρβίδιο του πυριτίου (SiC). Σχεδιασμένο για θερμικά πεδία υψηλής απόδοσης, αυτό το προηγμένο σύνθετο υλικό παρέχει μια ανώτερη λύση για τη διαχείριση της φάσης ατμού και τον έλεγχο ελαττωμάτων στη διαδικασία PVT (Physical Vapor Transport).

Ο πορώδες γραφίτης με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου VeTek Semiconductor Semiconductor VeTek έχει σχεδιαστεί για να βελτιστοποιεί το περιβάλλον ανάπτυξης κρυστάλλων SiC μέσω τεσσάρων βασικών τεχνικών λειτουργιών:


Φιλτράρισμα συστατικών ατμών: Η ακριβής πορώδης δομή λειτουργεί ως φίλτρο υψηλής καθαρότητας, διασφαλίζοντας ότι μόνο οι επιθυμητές φάσεις ατμού συμβάλλουν στον σχηματισμό κρυστάλλων, βελτιώνοντας έτσι τη συνολική καθαρότητα.

Έλεγχος θερμοκρασίας ακριβείας: Η επίστρωση TaC ενισχύει τη θερμική σταθερότητα και την αγωγιμότητα, επιτρέποντας πιο ακριβείς ρυθμίσεις των τοπικών κλίσεων θερμοκρασίας και καλύτερο έλεγχο των ρυθμών ανάπτυξης.

Κατευθυνόμενη κατεύθυνση ροής: Ο δομικός σχεδιασμός διευκολύνει την καθοδηγούμενη ροή ουσιών, διασφαλίζοντας ότι τα υλικά παραδίδονται ακριβώς εκεί που χρειάζεται για την προώθηση της ομοιόμορφης ανάπτυξης.

Αποτελεσματικός έλεγχος διαρροών: Το προϊόν μας παρέχει εξαιρετικές ιδιότητες σφράγισης για τη διατήρηση της ακεραιότητας και της σταθερότητας της ατμόσφαιρας ανάπτυξης.


Φυσικές ιδιότητες επικάλυψης TaC

Φυσικές ιδιότητες επικάλυψης TaC
Πυκνότητα επίστρωσης TaC
14,3 (g/cm³)
Ειδική ικανότητα εκπομπής
0.3
Συντελεστής θερμικής διαστολής
6,3*10-6
Σκληρότητα επίστρωσης TaC (HK)
2000 HK
Αντίσταση
1×10-5Ohm*cm
Θερμική σταθερότητα
<2500℃
Αλλάζει το μέγεθος του γραφίτη
-10~-20 μμ
Πάχος επίστρωσης
≥20um τυπική τιμή (35um±10um)

Σύγκριση με τον παραδοσιακό γραφίτη

Στοιχείο σύγκρισης
Παραδοσιακός πορώδης γραφίτης
Πορώδες καρβίδιο τανταλίου (TaC)
Περιβάλλον υψηλής θερμοκρασίας Si
Επιρρεπής σε διάβρωση και αποβολή
Σταθερό, σχεδόν καμία αντίδραση
Έλεγχος σωματιδίων άνθρακα
Μπορεί να γίνει πηγή ρύπανσης
Φιλτράρισμα υψηλής απόδοσης, χωρίς σκόνη
Διάρκεια ζωής
Κοντό, απαιτεί συχνή αντικατάσταση
Σημαντικά παρατεταμένος κύκλος συντήρησης

Επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) σε μικροσκοπική διατομή

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section


Αντίκτυπος εφαρμογής: Ελαχιστοποίηση ελαττωμάτων στη διαδικασία PVT

Optimizing SiC Crystal Quality


Στη διαδικασία PVT (Physical Vapor Transport), η αντικατάσταση του συμβατικού γραφίτη με τον πορώδες γραφίτη με επίστρωση TaC της VeTek αντιμετωπίζει άμεσα τα κοινά ελαττώματα που φαίνονται στο διάγραμμα:


Eπεριορίζοντας τα εγκλείσματα άνθρακα: Λειτουργώντας ως φράγμα στα στερεά σωματίδια, εξαλείφει αποτελεσματικά τα εγκλείσματα άνθρακα και μειώνει τους μικροσωλήνες που είναι συνηθισμένοι στα παραδοσιακά χωνευτήρια.

Διατήρηση της δομικής ακεραιότητας: Αποτρέπει το σχηματισμό λακκούβων και μικροσωληνίσκων κατά την μακροχρόνια ανάπτυξη μονοκρυστάλλου SiC.

Υψηλότερη Απόδοση & Ποιότητα: Σε σύγκριση με τα παραδοσιακά υλικά, τα εξαρτήματα με επίστρωση TaC εξασφαλίζουν ένα καθαρότερο περιβάλλον ανάπτυξης, με αποτέλεσμα σημαντικά υψηλότερη ποιότητα κρυστάλλου και απόδοση παραγωγής.




Hot Tags: Πορώδης γραφίτης με επικάλυψη καρβιδίου τανταλίου (TaC) για ανάπτυξη κρυστάλλων SiC
Αποστολή Ερώτησης
Πληροφορίες επαφής
  • Διεύθυνση

    Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, επαρχία Zhejiang, Κίνα

  • ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ

    anny@veteksemi.com

Για ερωτήσεις σχετικά με την επίστρωση καρβιδίου πυριτίου, την επίστρωση καρβιδίου τανταλίου, τον ειδικό γραφίτη ή τον τιμοκατάλογο, αφήστε το email σας σε εμάς και θα επικοινωνήσουμε μαζί μας εντός 24 ωρών.
X
Χρησιμοποιούμε cookies για να σας προσφέρουμε καλύτερη εμπειρία περιήγησης, να αναλύσουμε την επισκεψιμότητα του ιστότοπου και να εξατομικεύσουμε το περιεχόμενο. Χρησιμοποιώντας αυτόν τον ιστότοπο, συμφωνείτε με τη χρήση των cookies από εμάς. Πολιτική Απορρήτου
Απορρίπτω Αποδέχομαι