Νέα

Κατά τη διάρκεια της διαδικασίας επιταξικής ανάπτυξης SIC, μπορεί να προκύψει αποτυχία ανάρτησης γραφίτη με επικάλυψη SIC. Το παρόν έγγραφο διεξάγει μια αυστηρή ανάλυση του φαινομένου αποτυχίας της εναιώρησης γραφίτη με επικάλυψη SIC, η οποία περιλαμβάνει κυρίως δύο παράγοντες: αποτυχία επιταξιακής αερίου SIC και αποτυχία επικάλυψης SIC.

Αυτό το άρθρο εξετάζει κυρίως τα αντίστοιχα πλεονεκτήματα και διαφορές της διαδικασίας της διαδικασίας επιτάξεως μοριακής δέσμης και των τεχνολογιών εναπόθεσης χημικών ατμών μετάλλων-οργανικών.

Το πορώδες καρβίδιο του τανταλίου της VeTek Semiconductor, ως νέα γενιά υλικού ανάπτυξης κρυστάλλων SiC, έχει πολλές εξαιρετικές ιδιότητες προϊόντος και παίζει βασικό ρόλο σε μια ποικιλία τεχνολογιών επεξεργασίας ημιαγωγών.