Νέα

Το Hot Pressing Sintering είναι η κύρια μέθοδος για την παρασκευή κεραμικών SIC υψηλής απόδοσης. Η διαδικασία της πυροσυσσωμάτωσης του καυτού συμπίεσης περιλαμβάνει: την επιλογή σκόνης SIC υψηλής καθαρότητας, την πίεση και τη χύτευση κάτω από υψηλή θερμοκρασία και υψηλή πίεση και στη συνέχεια την πυροσυσσωμάτωση. Τα κεραμικά SIC που παρασκευάζονται με αυτή τη μέθοδο έχουν τα πλεονεκτήματα της υψηλής καθαρότητας και της υψηλής πυκνότητας και χρησιμοποιούνται ευρέως στους δίσκους λείανσης και στον εξοπλισμό θερμικής επεξεργασίας για επεξεργασία δίσκων.

Οι βασικές μέθοδοι ανάπτυξης του Silicon Carbide (SIC) περιλαμβάνουν PVT, TSSG και HTCVD, το καθένα με ξεχωριστά πλεονεκτήματα και προκλήσεις. Τα υλικά θερμικού πεδίου με βάση τον άνθρακα, όπως τα συστήματα μόνωσης, τα χωνευτήρια, οι επικαλύψεις TAC και ο πορώδης γραφίτης, ενισχύουν την ανάπτυξη των κρυστάλλων παρέχοντας σταθερότητα, θερμική αγωγιμότητα και καθαρότητα, απαραίτητα για την ακριβή κατασκευή και εφαρμογή της SIC.

Το SiC έχει υψηλή σκληρότητα, θερμική αγωγιμότητα και αντοχή στη διάβρωση, καθιστώντας το ιδανικό για την κατασκευή ημιαγωγών. Η επίστρωση CVD SiC δημιουργείται μέσω χημικής εναπόθεσης ατμών, παρέχοντας υψηλή θερμική αγωγιμότητα, χημική σταθερότητα και αντίστοιχη σταθερά πλέγματος για επιταξιακή ανάπτυξη. Η χαμηλή θερμική διαστολή και η υψηλή σκληρότητά του εξασφαλίζουν ανθεκτικότητα και ακρίβεια, καθιστώντας το απαραίτητο σε εφαρμογές όπως δοχεία γκοφρέτας, δακτύλιοι προθέρμανσης και πολλά άλλα. Η VeTek Semiconductor ειδικεύεται σε προσαρμοσμένες επιστρώσεις SiC για διαφορετικές ανάγκες της βιομηχανίας.