Νέα

Νέα

Είμαστε στην ευχάριστη θέση να μοιραστούμε μαζί σας τα αποτελέσματα της δουλειάς μας, τα νέα της εταιρείας και να σας παρέχουμε έγκαιρες εξελίξεις και τις συνθήκες διορισμού και απομάκρυνσης προσωπικού.
Η ιστορία ανάπτυξης του 3C SiC29 2024-07

Η ιστορία ανάπτυξης του 3C SiC

Μέσω της συνεχούς τεχνολογικής προόδου και της σε βάθος έρευνας μηχανισμού, η 3C-SIC ετεροεπιταξιακή τεχνολογία αναμένεται να διαδραματίσει πιο σημαντικό ρόλο στη βιομηχανία ημιαγωγών και να προωθήσει την ανάπτυξη ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής απόδοσης.
Συνταγή εναπόθεσης ατομικού στρώματος ALD27 2024-07

Συνταγή εναπόθεσης ατομικού στρώματος ALD

Χωρική ALD, χωρικά απομονωμένη εναπόθεση ατομικού στρώματος. Το δίσκο μετακινείται μεταξύ διαφορετικών θέσεων και εκτίθεται σε διαφορετικούς πρόδρομους σε κάθε θέση. Το παρακάτω σχήμα είναι μια σύγκριση μεταξύ της παραδοσιακής ALD και του χωρικά απομονωμένου ALD.
Τεχνολογία Tantalum Carbide Breakthrough, SIC επιταξονική ρύπανση μειώνεται κατά 75%;27 2024-07

Τεχνολογία Tantalum Carbide Breakthrough, SIC επιταξονική ρύπανση μειώνεται κατά 75%;

Πρόσφατα, το Γερμανικό Ερευνητικό Ινστιτούτο Fraunhofer IISB έχει κάνει μια σημαντική ανακάλυψη στην έρευνα και ανάπτυξη της τεχνολογίας επίστρωσης καρβιδίου Tantalum και ανέπτυξε μια λύση επίστρωσης ψεκασμού που είναι πιο ευέλικτη και φιλική προς το περιβάλλον από τη λύση εναπόθεσης CVD και έχει εμπορευματοποιηθεί.
X
Χρησιμοποιούμε cookies για να σας προσφέρουμε καλύτερη εμπειρία περιήγησης, να αναλύσουμε την επισκεψιμότητα του ιστότοπου και να εξατομικεύσουμε το περιεχόμενο. Χρησιμοποιώντας αυτόν τον ιστότοπο, συμφωνείτε με τη χρήση των cookies από εμάς.Πολιτική Απορρήτου
ΑπορρίπτωΑποδέχομαι