Νέα

Έρευνα SIC SIC SIC και Homoepitaxial Process Research

Το άρθρο αναλύει τις ιδιότητες του υλικού των πλακών υποστρώματος ημιαγωγών όπως το πυρίτιο, το GaAs, το SiC και το GaN

Αυτό το άρθρο περιγράφει κυρίως την επιταξιακή τεχνολογία χαμηλής θερμοκρασίας με βάση το GAN, συμπεριλαμβανομένης της κρυσταλλικής δομής των υλικών που βασίζονται σε GAN, των απαιτήσεων επιταξιακής τεχνολογίας και των λύσεων υλοποίησης, των προοπτικών της επιταξιακής τεχνολογίας χαμηλής θερμοκρασίας με βάση τις αρχές PVD και τις αναπτυξιακές προοπτικές της επιταξιακής τεχνολογίας.