Νέα

Νέα της βιομηχανίας

Σχεδιασμός θερμικού πεδίου για ανάπτυξη SIC μονής κρυστάλλου06 2024-08

Σχεδιασμός θερμικού πεδίου για ανάπτυξη SIC μονής κρυστάλλου

Με την αυξανόμενη ζήτηση για υλικά SIC στα ηλεκτρονικά ισχύος, την οπτικοηλεκτρονική και σε άλλους τομείς, η ανάπτυξη της τεχνολογίας SIC μονής κρυστάλλων θα αποτελέσει βασικό τομέα της επιστημονικής και τεχνολογικής καινοτομίας. Ως πυρήνας του εξοπλισμού SIC ενιαίου κρυστάλλου, ο σχεδιασμός του θερμικού πεδίου θα συνεχίσει να λαμβάνει εκτεταμένη προσοχή και εμπεριστατωμένη έρευνα.
Η ιστορία ανάπτυξης του 3C SiC29 2024-07

Η ιστορία ανάπτυξης του 3C SiC

Μέσω της συνεχούς τεχνολογικής προόδου και της σε βάθος έρευνας μηχανισμού, η 3C-SIC ετεροεπιταξιακή τεχνολογία αναμένεται να διαδραματίσει πιο σημαντικό ρόλο στη βιομηχανία ημιαγωγών και να προωθήσει την ανάπτυξη ηλεκτρονικών συσκευών υψηλής απόδοσης.
Συνταγή εναπόθεσης ατομικού στρώματος ALD27 2024-07

Συνταγή εναπόθεσης ατομικού στρώματος ALD

Χωρική ALD, χωρικά απομονωμένη εναπόθεση ατομικού στρώματος. Το δίσκο μετακινείται μεταξύ διαφορετικών θέσεων και εκτίθεται σε διαφορετικούς πρόδρομους σε κάθε θέση. Το παρακάτω σχήμα είναι μια σύγκριση μεταξύ της παραδοσιακής ALD και του χωρικά απομονωμένου ALD.
X
Χρησιμοποιούμε cookies για να σας προσφέρουμε καλύτερη εμπειρία περιήγησης, να αναλύσουμε την επισκεψιμότητα του ιστότοπου και να εξατομικεύσουμε το περιεχόμενο. Χρησιμοποιώντας αυτόν τον ιστότοπο, συμφωνείτε με τη χρήση των cookies από εμάς.Πολιτική Απορρήτου
ΑπορρίπτωΑποδέχομαι